[发明专利]一种SVG电路在审
申请号: | 202010945838.3 | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN112054536A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 王小军;段生强;陈什春;徐康亮;阿布都艾尼·阿布都克力木;陈文魁;刘礼良;朱飞虎 | 申请(专利权)人: | 国网新疆电力有限公司克州供电公司 |
主分类号: | H02J3/18 | 分类号: | H02J3/18;H02M3/07 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 杜阳阳 |
地址: | 845350 新疆维吾尔自治区*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 svg 电路 | ||
本发明涉及一种SVG电路,包括N个直流‑直流变换单元和由门极可关断晶闸管构成的H型桥式电路;N为大于2的正整数;各所述直流‑直流变换单元并联后与所述H型桥式电路连接。本发明通过对级联半桥电路进行改进,减少了SVG的开关器件使用数量,降低了SVG的生产成本。
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域,特别是涉及一种SVG电路。
背景技术
无功补偿在电力系统中的应用十分广泛。其中在改善电网的电能质量,提高系统动静态稳定性的过程中,多电平拓扑结构在高压大功率场景具有独特优势。常见的多电平拓扑结构主要有级联H桥型,飞跨电容型,二极管钳位型等。
级联H桥SVG(Static Var Generator,静止无功发生器)在中高压无功补偿现场应用广泛,但由于大量使用功率开关器件,成本偏高。
发明内容
本发明的目的是提供一种SVG电路,以降低工业成本。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:
一种SVG电路,包括N个直流-直流变换单元和由门极可关断晶闸管构成的H型桥式电路;N为大于2的正整数;各所述直流-直流变换单元并联后与所述H型桥式电路连接。
可选的,所述直流-直流变换单元包括绝缘栅双极晶体管、电容、第一二极管和第二二极管,所述电容的一端连接所述第一二极管的阳极,所述电容的另一端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极和所述第二二极管的阴极,所述绝缘栅双极晶体管的发射集和所述第二二极管的阳极连接所述第一二极管的阴极。
可选的,所述H型桥式电路包括第一门极可关断晶闸管、第二门极可关断晶闸管、第三门极可关断晶闸管、和第四门极可关断晶闸管;所述第一门极可关断晶闸管的阴极连接所述第三门极可关断晶闸管的阳极,所述第二门极可关断晶闸管的阴极连接所述第四门极可关断晶闸管的阳极,所述第一门极可关断晶闸管的阳极和所述第二门极可关断晶闸管的阳极连接第一直流-直流变换单元中的第一二极管的阴极,所述第三门极可关断晶闸管的阴极和所述第四门极可关断晶闸管的阴极连接第N直流-直流变换单元中的第一二极管的阳极;所述第一直流-直流变换单元为N个直流-直流变换单元并联后的第一个直流-直流变换单元,所述第N直流-直流变换单元为N个直流-直流变换单元并联后的第N个直流-直流变换单元;各所述门极可关断晶闸管两端均反向并联一个二极管;所述第一门极可关断晶闸管的阴极与所述第三门极可关断晶闸管的阳极连接点以及所述第二门极可关断晶闸管的阴极与所述第四门极可关断晶闸管的阳极连接点作为输出端。
可选的,所述直流-直流变换单元中的电容为直流电容。
可选的,所述直流-直流变换单元中的第一二极管为快恢复二极管。
根据本发明提供的具体实施例,本发明公开了以下技术效果:
本发明公开了一种SVG电路,包括N个直流-直流变换单元和由门极可关断晶闸管构成的H型桥式电路;N为大于2的正整数;各所述直流-直流变换单元并联后与所述H型桥式电路连接。本发明通过对级联半桥电路进行改进,减少了SVG的开关器件使用数量,降低了SVG的生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的SVG电路图;
图2为本发明实施例提供的中高压无功补偿现场SVG电路图。
具体实施方式
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