[发明专利]一种带场板结构的高可靠性氮化物器件在审
| 申请号： | 202010946052.3 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111863947A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 苏州晶界半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 板结 可靠性 氮化物 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种带场板结构的高可靠性氮化物器件，其特征在于，包括：
衬底；
形成于衬底上的氮化物缓冲层；
形成于氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；
形成于氮化物沟道层上的氮化物势垒层；
形成于氮化物势垒层上的栅介质层；
形成于栅介质层上的绝缘介质层；
形成于绝缘介质层上的漏极，漏极的底端部分形成于氮化物势垒层上；
形成于栅介质层上的栅极场板结构，所述栅极场板结构向靠近所述漏极一侧延伸；
形成于绝缘介质层上的源极场板结构，所述源极场板结构的底端部分形成于氮化物势垒层上，并且所述源极场板结构在所述栅极场板结构延伸的方向上延伸；
栅极场板结构，位于所述漏极和所述源极场板结构之间。
2.根据权利要求1所述的一种带场板结构的高可靠性氮化物器件，其特征在于，所述衬底采用的材料为Si3N4、HfO2、AlN、GaN、SiC、Ga2O3、Al2O3或金刚石。
3.根据权利要求1所述的一种带场板结构的高可靠性氮化物器件，其特征在于，所述氮化物沟道层刻蚀有深度为20-400nm的凹槽，用于提升所述栅极场板结构对氮化物器件的控制能力。
4.根据权利要求1或3所述的一种带场板结构的高可靠性氮化物器件，其特征在于，所述氮化物势垒层通过二次外延生长形成于带有凹槽的氮化物沟道层上。
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