[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在玻璃基板上形成IGZO薄膜晶体管；

在所述IGZO薄膜晶体管上沉积氧化硅/氮化硅材料，构成氧化硅/氮化硅骨架，对所述氧化硅/氮化硅骨架进行化学修饰，得到钝化层，所述钝化层具有疏水有机基团；

其中，所述钝化层的内部和表面具有疏水有机基团，所述疏水有机基团起到化学性阻挡水汽的作用；

其中所述钝化层为单层结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述玻璃基板上形成IGZO薄膜晶体管，包括以下步骤：

在所述玻璃基板上形成栅极；

在所述玻璃基板上形成栅极绝缘层，而且所述栅极绝缘层完全覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层上形成IGZO薄膜、源极以及漏极，所述源极和所述漏极与所述IGZO薄膜部分重叠。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层使用了化学修饰进行疏水化处理，包括：

采用带有疏水基团的有机硅烷热解法对所述钝化层进行疏水化处理；

其中，所述带有疏水基团的有机硅烷为任意带有有机基团并能在Si骨架表面修饰的物质，所述疏水基团包括甲基和乙基。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用带有疏水基团的有机硅烷热解法对所述钝化层进行疏水化处理，包括以下步骤：

使用化学气相沉积将甲基三乙氧基硅烷制成钝化层，所述钝化层的厚度为100A到2000A之间。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，使用化学气相沉积将甲基三乙氧基硅烷制成钝化层，所述甲基三乙氧基硅烷在压力为15Pa到100Pa，温度为150℃到400℃的条件下会生成带甲基基团的SiOx薄膜结构。

6.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用带有疏水基团的有机硅烷热解法对所述钝化层进行疏水化处理，包括以下步骤：

使用化学气相沉积将乙基三甲氧基硅烷制成钝化层，所述钝化层的厚度为100A到2000A之间。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，使用化学气相沉积将乙基三甲氧基硅烷制成钝化层，所述乙基三甲氧基硅烷在压力为15Pa到100Pa，温度为150℃到400℃的条件下会生成带乙基基团的SiOx薄膜结构。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

玻璃基板；

栅极，所述栅极设置在所述玻璃基板上方；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述玻璃基板上方，所述栅极绝缘层完全覆盖所述栅极；

IGZO薄膜，所述IGZO薄膜设置在所述栅极绝缘层上方；

源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述IGZO薄膜两侧，且所述源极和所述漏极与所述IGZO薄膜部分重叠；

钝化层，所述钝化层设置在所述源极和所述漏极的上方，所述钝化层完全覆盖所述源极、所述IGZO薄膜以及所述漏极；

其中，所述钝化层的内部和表面具有疏水有机基团，所述疏水有机基团起到化学性阻挡水汽的作用；

所述钝化层使用带有疏水基团的有机硅烷热解法进行疏水化处理，且所述带有疏水基团的有机硅烷为任意带有有机基团并能在Si骨架表面修饰的物质，所述疏水基团包括甲基和乙基。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为甲基三乙氧基硅烷所制成，所述钝化层的厚度为100A到2000A之间，且所述钝化层的内部和表面具有甲基疏水基团。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为乙基三甲氧基硅烷所制成，所述钝化层的厚度为100A到2000A之间，且所述钝化层的内部和表面具有乙基疏水基团。