[发明专利]一种锕系元素离子在离子液体中还原电位的模拟分析方法在审

专利信息
申请号: 202010946915.7 申请日: 2020-09-10
公开(公告)号: CN112053746A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 王兆敏;张冬青;吕维妙;殷秀平;王慧 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G16C20/30 分类号: G16C20/30;G16C10/00
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 杨采良
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 锕系元素 离子 液体 还原 电位 模拟 分析 方法
【权利要求书】:

1.一种锕系元素离子在离子液体中还原电位的模拟分析方法,其特征在于,所述锕系元素离子在离子液体中还原电位的模拟分析方法包括:

对反应物和生成物的结构优化,总能量的计算,利用CPCM溶剂化模型估算溶剂化效应,利用显式-隐式混合溶剂模型计算质子在离子液体中的溶剂化Gibbs自由能;

选择SHE为参比电极,利用Nernst方程计算[NpVIO2]2+、[NpVO2]+、Np4+离子在离子液体中的还原电位。

2.如权利要求1所述的锕系元素离子在离子液体中还原电位的模拟分析方法,其特征在于,所述Npn+离子在离子液体中还原电位的模拟分析方法具体包括:

步骤一,在B3LYP/6-311++G(d,p)//SDD理论水平上优化Np3+、Np4+、[NpVO2]+和[NpVIO2]2+在离子液体中形成的配位离子的结构,其中C、H、O、N和F元素选取6-311++G(d,p)基组,S、Np元素选取SDD基组,利用GAUSSIAN 09程序进行计算;

步骤二,通过振动频率的计算,验证所有优化得到的配位结构对应势能面上的局域极小点,为稳定结构;

步骤三,在气态配位离子结构的基础上,利用CPCM溶剂化模型修正溶剂化效应,不重新优化溶剂化状态下配位离子的几何结构;

步骤四,选择SHE为参比电极,利用DFT方法精确计算[NpVIO2]2+、[NpVO2]+、Np4+在离子液体[(CO2H)2C2MIm]+[NTf2]-中的氧化还原反应的Gibbs自由能的变化量再利用Nernst方程计算标准还原电位其中F是Faraday常数,n是氧化还原反应中转移的电子总数,是参比电极SHE的Gibbs自由能变化量。

3.如权利要求2所述的锕系元素离子在离子液体中还原电位的模拟分析方法,其特征在于,所述步骤二中,在配位离子结构优化过程中,存在多个能量有不同的稳定构型,只报告能量最低的几何构型。

4.如权利要求2所述的锕系元素离子在离子液体中还原电位的模拟分析方法,其特征在于,所述步骤二中,[NpVO2(NTf2)3]2-配位离子在还原过程中发生结构重排,[NpVO2(NTf2)3]2-(il)+[NTf2]-(il)+4H+(il)+e-(g)→[NpIV(NTf2)4](il)+2H2O(il)。

5.如权利要求2所述的锕系元素离子在离子液体中还原电位的模拟分析方法,其特征在于,所述步骤三中,溶剂模型采用的直流和高频相对介电常数分别为11.52和2.045,Abraham氢键酸性和碱性常数分别为0.229和0.265,气-液界面的宏观表面张力为61.24J·m-2

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