[发明专利]一种数据处理方法及相关设备

说明书

本申请提供了一种数据处理方法及相关设备，不但能有效解决在多数存储设备上的数据安全性问题，同时还可以避免由于数据块的特性不同导致数据出错。该方法包括：确定目标存储芯片中每个物理块对应的坏列地址的位置信息以及个数；根据所述目标存储芯片中每个物理块的坏列地址的个数确定第一目标物理块，所述第一目标物理块为所述目标存储芯片中坏列地址最少的物理块；将所述目标存储芯片中每个物理块对应的坏列地址的位置信息单独写入所述第一目标物理块。

技术领域

本申请涉及存储领域，尤其涉及一种数据处理方法及相关设备。

背景技术

随着大数据的普及应用，以及存储技术的飞速发展，NandFlash的制造工艺越来越先进，其中新制程产品中尤以3D NandFlash的使用最为成熟，通常大容量的U盘、eMMC(eMMC为Embedded Multi Media Card的缩写，是MMC协会订立、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格)以及固态驱动器(Solid State Disk或Solid State Drive，SSD)都是使用3D NandFlash来作为存储介质，由此对该种类型Flash的存储设备的数据安全性就有了更高的要求。

由于工艺的复杂性，3D NandFlash在出厂的时候便会存在某些列地址(Column)无法正常使用，通常会被标记出来以供控制器进行区分对待；目前针对BadColumn的处理都是将原厂读到的坏列地址列表(BadColumn Table)保存到控制器中，在使用的过程中跳过BadColumn Table中的Column，目前对BadColumn Table的使用方式是所有的物理块共用一份Table，由于不同物理块特性的不同，BadColumn也会存在区别，该种处理方式会导致存储在Flash中的数据容易出错，对U盘、eMMC以及SSD的数据安全性有很大的影响，严重情况下可能导致无法正常使用。

发明内容

本申请提供了一种数据处理方法及相关设备，不但能有效解决在多数存储设备上的数据安全性问题，同时还可以避免由于数据块的特性不同导致数据出错。

本申请第一方面提供了一种数据处理方法，包括：

确定目标存储芯片中每个物理块对应的坏列地址的位置信息以及个数；

根据所述目标存储芯片中每个物理块的坏列地址的个数确定第一目标物理块，所述第一目标物理块为所述目标存储芯片中坏列地址最少的物理块；

将所述目标存储芯片中每个物理块对应的坏列地址的位置信息单独写入所述第一目标物理块。

可选地，所述将所述目标存储芯片中每个物理块对应的坏列地址的位置信息单独写入所述第一目标物理块包括：

确定所述目标存储芯片中每个物理块的地址；

基于所述目标存储芯片中每个物理块的地址将所述目标存储芯片中每个物理块对应的坏列地址的位置信息单独写入所述第一目标物理块。

可选地，所述基于所述目标存储芯片中每个物理块的地址将所述目标存储芯片中每个物理块对应的坏列地址的位置信息单独写入所述第一目标物理块包括：

将所述目标存储芯片中每个物理块对应的坏列地址的位置信息按照所述目标存储芯片中每个物理块的地址的大小顺序单独写入所述第一目标物理块。

可选地，所述将所述目标存储芯片中每个物理块对应的坏列地址的位置信息单独写入所述第一目标物理块之后，所述方法包括：

确定第二目标物理块对应目标地址，所述第二目标物理块为所述目标存储芯片中的任意一个物理块；

基于所述目标地址从所述第一目标物理块中获取与所述第二目标物理块对应的坏列地址的位置信息；

将所述第二目标物理块对应的坏列地址的位置信息存储至控制器相关位置。