[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010947039.X | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN112530996A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 李时圭;金荣浩;李雄起 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 舒雄文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板,在所述基板中限定有多个子像素,并且每一个子像素包括发射区域和电路区域;
驱动晶体管,所述驱动晶体管设置在所述电路区域中,并且包括设置在相同的层上的第一栅极电极和第一源极电极;
存储电容器,所述存储电容器设置在所述电路区域中,并且包括第一电容器电极,所述第一电容器电极电连接到所述第一栅极电极并设置在所述第一栅极电极下方;
绝缘层,所述绝缘层使所述驱动晶体管和所述存储电容器的上部平坦化;以及
发光元件,所述发光元件设置在所述绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电容器电极与所述第一源极电极重叠,并且
所述存储电容器还包括与所述第一源极电极一体地形成的第二电容器电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二电容器电极设置在所述第一电容器电极上。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述发光元件包括:
第一电极,设置在所述发射区域中且设置在所述绝缘层上;
发光层,覆盖整个所述发射区域和所述电路区域且设置在所述第一电极上;以及
第二电极,覆盖整个所述发射区域和所述电路区域且设置在所述发光层上,
其中,所述绝缘层的上表面的不接触所述第一电极的部分与所述发光元件接触。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,设置在所述多个子像素中的所述第一电极彼此间隔开,并且
所述发光层设置在彼此间隔开的所述第一电极之间。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述发光元件还包括延伸部分,所述延伸部分从所述发射区域的所述第一电极朝向所述电路区域的所述第一源极电极延伸。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述发光元件还包括修复部分,所述修复部分从设置在所述多个子像素中的一个子像素中的所述第一电极朝向与所述一个子像素相邻的另一子像素的所述电路区域延伸。
8.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
光阻挡层,所述光阻挡层设置在所述基板与所述驱动晶体管的第一有源层之间,以及
第一电容器电极,所述第一电容器电极设置在与所述光阻挡层相同的层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置,还包括:
开关晶体管,所述开关晶体管设置在所述电路区域中且包括电连接到所述第一栅极电极和所述第一电容器电极的第二源极电极;
感测晶体管,所述感测晶体管设置在所述电路区域中且包括电连接到所述驱动晶体管、所述存储电容器和所述发光元件的第三源极电极;
栅极线,所述栅极线电连接到所述开关晶体管的第二栅极电极;
数据线,所述数据线电连接到所述开关晶体管的第二漏极电极;
高电位电源线,所述高电位电源线电连接到所述驱动晶体管的第一漏极电极;
感测线,所述感测线电连接到所述感测晶体管的第三栅极电极;以及
参考线,所述参考线电连接到所述感测晶体管的第三漏极电极,
其中,所述数据线、所述高电位电源线和所述感测线设置为在与所述光阻挡层相同的层上沿列线延伸,并且
其中,所述栅极线和所述参考线设置为在与所述第一栅极电极相同的层上沿行方向延伸。
10.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
第一滤色器,所述第一滤色器设置在所述多个子像素中的一个子像素的所述发射区域中的所述绝缘层与所述基板之间,且设置在所述一个子像素的所述电路区域中的所述绝缘层与所述驱动晶体管之间;以及
第二滤色器,所述第二滤色器设置在所述多个子像素中的另一子像素的所述发射区域中的所述绝缘层与所述基板之间,且设置在所述一个子像素的所述电路区域中的所述绝缘层与所述第一滤色器之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的