[发明专利]一种包裹式图形化复合衬底、制备方法及LED外延片在审

专利信息
申请号: 202010947179.7 申请日: 2020-09-10
公开(公告)号: CN114171649A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 肖桂明;张剑桥;刘凤仪;康凯;陆前军;张能 申请(专利权)人: 东莞市中图半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 包裹 图形 复合 衬底 制备 方法 led 外延
【权利要求书】:

1.一种包裹式图形化复合衬底,其特征在于,包括衬底基板以及形成于所述衬底基板上的多个复合图形微结构;

所述复合图形微结构包括中心凸起微结构和类火山口型环状凸起微结构,所述中心凸起微结构的底部与所述衬底基板一体连接,所述类火山口型凸起微结构采用异质材料制成;

所述类火山口型环状凸起微结构围绕所述中心凸起微结构设置,且包裹所述中心凸起微结构的底部,露出所述中心凸起微结构的顶部。

2.根据权利要求1所述的包裹式图形化复合衬底,其特征在于,所述中心凸起微结构的高度大于或等于所述类火山口型凸起微结构的高度。

3.根据权利要求1所述的包裹式图形化复合衬底,其特征在于,相邻的两个所述复合图形微结构之间裸露出所述衬底基板。

4.根据权利要求1所述的包裹式图形化复合衬底,其特征在于,所述中心凸起微结构为台状微结构、柱状微结构、锥状微结构、类台状微结构和类锥状微结构中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的包裹式图形化复合衬底,其特征在于,所述中心凸起微结构包括上部和下部,所述上部的侧壁倾斜角度小于所述下部的侧壁倾斜角度。

6.根据权利要求1所述的包裹式图形化复合衬底,其特征在于,所述中心凸起微结构包括上部、中部和下部,所述上部为异质材料制成,所述下部、所述中部和所述衬底基板一体连接。

7.根据权利要求1所述的包裹式图形化复合衬底,其特征在于,所述类火山口型环状凸起微结构的侧壁呈弧状。

8.根据权利要求1所述的包裹式图形化复合衬底,其特征在于,所述衬底基板的制备材料包括蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、氮化硅、氧化锌和尖晶石;所述异质材料包括氧化物、氮化物、碳化物和单质。

9.一种LED外延片,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的包裹式图形化复合衬底。

10.一种包裹式图形化复合衬底的制备方法,其特征在于,用于制备如权利要求1-8任一项所述的包裹式图形化复合衬底,所述制备方法包括:

提供一衬底基板,并在所述衬底基板上图形化形成中心凸起微结构;

在所述衬底基板上形成异质材料层;

图形化所述异质材料层形成类火山口型环状凸起微结构;其中,所述类火山口型环状凸起微结构围绕所述中心凸起微结构设置,且包裹所述中心凸起微结构的底部,露出所述中心凸起微结构的顶部。

11.根据权利要求10所述的包裹式图形化复合衬底的制备方法,其特征在于,提供一衬底基板,并在所述衬底基板上图形化形成中心凸起微结构,包括:

在衬底基板上形成第一光刻胶层;

图形化所述第一光刻胶层,形成第一胶柱掩膜;

根据所述第一胶柱掩膜,对所述衬底基板进行刻蚀,并形成所述中心凸起微结构。

12.根据权利要求10所述的包裹式图形化复合衬底的制备方法,其特征在于,图形化所述异质材料层形成类火山口型环状凸起微结构,包括:

在所述异质材料层上形成第二光刻胶层;

图形化所述第二光刻胶层,形成第二胶柱掩膜;

根据所述第二胶柱掩膜,对所述异质材料层进行至少一次主刻蚀,并形成所述类火山口型环状凸起微结构。

13.根据权利要求12所述的包裹式图形化复合衬底的制备方法,其特征在于,在根据所述第二胶柱掩膜,对所述异质材料层进行主刻蚀,并形成所述类火山口型环状凸起微结构之后,还包括:

对所述类火山口型环状凸起微结构进行过刻蚀,以修饰所述类火山口型环状凸起微结构和所述中心凸起微结构的图形形貌。

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