[发明专利]一种DC/DC转换器过流保护电路在审

专利信息
申请号: 202010947422.5 申请日: 2020-09-10
公开(公告)号: CN112103920A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 潘大韦;邱林;吴瑞 申请(专利权)人: 安徽鸿创新能源动力有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12;H02H3/087;H02M1/088;H02M3/158
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 赵中英
地址: 239000 安徽省滁州市琅琊区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 dc 转换器 保护 电路
【说明书】:

发明公开了一种DC/DC转换器过流保护电路,包括驱动电路以及PWM控制器,所述PWM控制器输出端连接至驱动电路的输入端,所述驱动电路的输出端连接至DC/DC转换器中的开关管MP的基极,所述保护电路还包括电流检测电路和过流关断电路,所述电流检测电路用于时刻检测开关管MP中的电流大小,其输出端连接过流关断电路,所述过流关断电路用于产生关断驱动电路的VILIM信号,所述过流关断电路的输出端输出VILIM信号至驱动电路的输入端,用于控制驱动电路关断。本发明的优点在于:实现在DCDC转换器中的开关管过流时及时进行保护,而且采集的表征过流的电压信号不受温度、电源电压的影响,从而使得关断DCDC的开关管时更加准确可靠。

技术领域

本发明涉及电力电子器件保护领域,特别涉及一种DC/DC过流保护电路。

背景技术

近年来,随着电力电子及电子技术的迅猛发展,DC-DC变换器在新能源等各领域应用更加广泛。在DCDC变换器中,大功率MOSFET管在技术和应用上也有了更新的突破,压降越来越低,开关速度越来越快,凭借其出色的高频开关特性而被广泛应用,但MOSFET开关管具有较弱的承受短时过载的能力,在电源短接、内部短路等异常情况下,产生的功耗会急剧增大,从而影响MOSFET开关管正常工作,并可能对其产生永久性的损坏。因此为了保护MOSFET开关管,在DC-DC变换器内部通常需要过流保护电路。目前,一些适用于DC-DC变换器的过流保护电路,在电路结构成本、限流精度、功耗和抗干扰能力诸方面还不能很好的兼顾。如何设计出可靠而合理的过流保护电路,对于充分发挥MOSFET开关管的优点避其弱点起着至关重要的作用,也是有效利用MOSFET开关管的前提和关键。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种DC/DC转换器过流保护电路,用于实现在DCDC转换器中的开关管过流时及时进行保护,而且采集的表征过流的电压信号不受温度、电源电压的影响。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种DC/DC转换器过流保护电路,包括驱动电路以及PWM控制器,所述PWM控制器输出端连接至驱动电路的输入端,所述驱动电路的输出端连接至DC/DC转换器中的开关管MP的基极,所述保护电路还包括电流检测电路和过流关断电路,所述电流检测电路用于时刻检测开关管MP中的电流大小,其输出端连接过流关断电路,所述过流关断电路用于产生关断驱动电路的VILIM信号,所述过流关断电路的输出端输出VILIM信号至驱动电路的输入端,用于控制驱动电路关断。

所述电流检测电路的输入端分别连接开关管Mp的基极和发射极,其输出端输出用于表示开关管MP中电流大小的高低电位VL1。

所述电流检测电路包括开关管M1、M2、M3、M4、M5、M5、M7、M8、M9以及电阻R1,所述开关管MP的基极分别连接开关管M1的基极、M2的基极、M3的基极、M4的基极;所述开关管M1的发射极连接开关管MP的发射极,所述开关管M1的集电极连接开关管M2的发射极;电源VDD分别连接开关管M2、M3、M4的集电极;所述M2的发射极连接M5的集电极,M3的发射极连接M6的集电极,M4的发射极连接M7的集电极;所述开关管M5的发射极分别连接至M5的基极、M6的基极、M7的基极、M8的集电极;M6的发射极分别连接至M9的集电极以及M9的基极,M9的基极连接至M8的基极,M8的发射极、M9的发射极均接地;M7的发射极经电阻R1接地;在电阻R1和M7的发射极之间引出接线作为电平信号VL1的输出端子L1。

所述过流关断电路根据电流检测电路输出端子L1的输出的电压信号VL1来输出控制信号至驱动电路以控制驱动电路的关断。

所述电流检测电路还包括同步脉冲电路,所述同步脉冲电路的输出端输出同步脉冲信号VSYN至过流关断电路,所述过流关断电路在同步脉冲信号处于低电平时,开始检测电压VL1的电位高低。

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