[发明专利]一种高堆叠封装结构及其形成方法

说明书

本发明涉及一种高堆叠封装结构及其形成方法，该方法包括以下步骤：形成第一封装组件，形成第二封装组件，形成第三封装组件，在柔性基板的中间区域设置所述第一封装组件在所述柔性基板的相对的两个侧边区域设置所述第二封装组件，接着分别形成多个间隔设置的第一穿孔和第二穿孔，接着在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积金属材料以分别形成第一金属柱和第二金属柱，接着在所述第一封装组件上设置所述第三封装组件，接着将所述柔性基板的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装组件均贴装至所述第一封装组件的侧壁和所述第三封装组件的侧壁，接着提供一线路基板，将所述第三封装组件电连接至所述线路基板。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，特别是涉及一种高堆叠封装结构及其形成方法。

背景技术

随着人们对电子产品小型化、系统化、多功能等方向的持续追求，超大规模集成电路的特征尺寸在不断缩小。但是，当IC的特征尺寸即将达到物理极限时，人们不得不去寻求新技术、新设计、新材料来“超越摩尔定律”。以POP(Package on Package)堆叠为代表的系统级封装技术就是人们在“超越摩尔定律”之路上的一个里程碑。在现有的POP封装结构中，通常在主封装结构的侧面堆叠一小型封装结构，以提高POP封装结构的集成度，如何提高该类POP封装结构的稳定性，这引起了人们的广泛关注。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种高堆叠封装结构及其形成方法。

为实现上述目的，本发明提出的一种高堆叠封装结构的形成方法，包括以下步骤：

(1)提供一第一电路基板，在所述第一电路基板的两侧边缘区域形成第一导电凸块，将第一半导体管芯贴装在所述第一电路基板上，接着在所述第一电路基板上形成第一塑封层，所述第一塑封层包裹所述第一导电凸块和所述第一半导体管芯，所述第一导电凸块的一部分从所述第一塑封层的侧面露出，接着在所述第一电路基板的背面植球，以形成第一封装组件。

(2)提供一第二电路基板，将第二半导体管芯贴装在所述第二电路基板上，接着在所述第二电路基板上形成第二塑封层，所述第一塑封层包裹所述第二半导体管芯，接着在所述第二电路基板的背面植球，以形成第二封装组件。

(3)提供第三电路基板，在所述第三电路基板的两侧边缘区域形成第二导电凸块，且在所述第三电路基板上形成第三导电凸块，将第三半导体管芯贴装在所述第三电路基板上，接着在所述第三电路基板上形成第三塑封层，所述第三塑封层包裹所述第二导电凸块、所述第三导电凸块和所述第三半导体管芯，所述第二导电凸块的一部分从所述第三塑封层的侧面露出，所述第三导电凸块的一部分从所述第三塑封层的顶面露出，接着在所述第三电路基板的背面植球，以形成第三封装组件。

(4)提供一柔性基板，以所述第一塑封层的顶面朝向所述柔性基板的方式将所述第一封装组件设置在所述柔性基板的中间区域，以所述第二塑封层的顶面朝向所述柔性基板的方式将两个所述第二封装组件分别设置在所述柔性基板的相对的两个侧边区域，接着在所述第一、第二封装组件上设置第一临时承载基板。

(5)接着从所述柔性基板的背面对所述柔性基板的中间区域、所述第一塑封层以及所述第一半导体管芯进行刻蚀处理，以在所述第一半导体管芯中形成多个间隔设置的第一穿孔，其中，位于所述第一半导体管芯的中间区域的所述第一穿孔的深度较浅，而位于所述第一半导体管芯的边缘区域的所述第一穿孔的深度较深。

(6)接着从所述柔性基板的背面对所述柔性基板的相对的两个侧边区域、所述第二塑封层以及所述第二半导体管芯进行刻蚀处理，以在所述第二半导体管芯中形成多个间隔设置的第二穿孔，其中，位于所述第二半导体管芯的中间区域的所述第二穿孔的深度较浅，而位于所述第二半导体管芯的边缘区域的所述第二穿孔的深度较深。

(7)接着在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积金属材料以分别形成第一金属柱和第二金属柱。