[发明专利]林下魔芋人工种植方法在审

专利信息
申请号: 202010948446.2 申请日: 2020-09-10
公开(公告)号: CN112021119A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 兰海;蒋祺;唐平;代沙;顾国栋;李倩;蔺雨阳;李恒;陈太萍 申请(专利权)人: 攀枝花市农林科学研究院
主分类号: A01G22/25 分类号: A01G22/25;A01G13/00;A01C1/00;A01C1/08;A01C21/00;A01N43/16;A01N47/18;A01N37/46;A01N47/14;A01N43/824;A01P3/00;A01P1/00
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 罗贵飞
地址: 617061 四川省攀*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 林下 魔芋 人工 种植 方法
【说明书】:

发明公开了一种林下魔芋人工种植方法,属于农业种植业领域。该方法包括种植地选择、土壤消毒、种芋选择、播种、中期管理和采收步骤,在播种步骤中,施底肥,底肥位于种芋顶部的周向上,环状放置,底肥与种芋用土壤分隔且间隔不小于15厘米,魔芋种皮在生长过程中不会直接与底肥接触导致种皮溃烂,同时,长出的魔芋营养根却能够很快的接触底肥,便于吸收;避免因施肥不当或施肥过多导致的魔芋芋种或商品魔芋遇肥腐烂的问题,提升魔芋亩产量。本发明还通过种芋放置、形成土包、药剂处理、除草措施、叶面追肥等方案,减少了种芋亩使用量,同时进一步提高亩产量。

技术领域

本发明属于农业种植业领域,具体涉及一种林下魔芋人工种植方法。

背景技术

传统魔芋种植业采用魔芋芋种进行种植。种植地点随机,一般在核桃林林下、天然林林下、田地以及山坡坡地上。

种植方法有两种:1、挖坑种植。在每年2-3月份,在没有对土壤消毒、芋种消毒的情况下,点状挖坑,每坑随意丢掷1-2枚魔芋芋种,坑间距随机,最小坑间间距10厘米,最大坑间间距不超过30厘米。魔芋挖坑种植底肥施用有两种情况:(1)放置于坑底,底肥用土壤覆盖10厘米,魔芋芋种放置在覆土的底肥上。(2)放置于完全覆土后魔芋种植坑土壤面上。魔芋生长期追肥在每年的雨季开始,用复合肥或农家厩肥开沟施用,每亩用量约200公斤左右。每亩魔芋芋种用量在200多公斤。早期除草采用魔芋未出苗时打除草剂,中期除草采用人工拔除或铲除,后期除草采用铲除。种植过程中基本不进行病虫害防治性打药。2、横山挖槽种植。在每年2-3月份,在没有对土壤消毒、芋种消毒的情况下,沿山地等高线开挖10厘米深的沟槽或平地开挖10厘米深的沟槽,随意丢掷魔芋芋种,芋种间距最小3-5厘米,最大间距10-15厘米。半覆土后,放置枯枝落叶或农作物粉碎秸秆,最后完全覆土。魔芋生长期追肥在每年的雨季开始,用复合肥或农家厩肥开沟施用,每亩用量200公斤左右。每亩魔芋芋种用量在300-400公斤。早期除草采用魔芋未出苗时打除草剂,中期除草采用人工拔除或铲除,后期除草采用铲除。种植过程中基本不进行病虫害防治性打药。

现有魔芋种植方法,存在以下问题:

一是用种量过大,挖坑种植至少也需要200多公斤的芋种,挖槽种植需要300-400公斤芋种。

二是病害重,魔芋病害都是土传病害和种传病害,平均10-20厘米的种植间距,导致魔芋病害一旦发生,传染速度快,不利于魔芋病害防治和病株处理。种植地点随机,不考虑魔芋种植生长特性,不遮阴、粘重土等环境条件下种植,导致魔芋容易黄叶、感染病害,生长发育缓慢。种植前不进行土壤和种芋处理,导致病害发生率高。

三是施肥方法存在缺陷。底肥是魔芋生长必备材料,底肥放置位置不对,不利于魔芋根系对底肥的吸收,影响魔芋生长;底肥放置位置不对,魔芋在生长过程中,新生长根茎接触到底肥,还易导致魔芋根茎腐烂;过量的底肥以及追肥,更容易引起魔芋发生病害,导致魔芋根茎腐烂。

四是魔芋芋种放置随意。魔芋芋种放置随意或随机,导致魔芋在换头生长过程中,容易受雨水浸泡,易感染病菌、细菌,导致魔芋病害发生;随意丢掷魔芋芋种,易损伤芋种种皮,易感染病菌、细菌,导致魔芋病害发生。

五是产量过低。传统魔芋种植后,在不发生病虫害的前提下,平均亩产600-1100公斤,商品魔芋亩产量不稳定。如果发生病虫害,农户种植收益将更底,甚至绝收。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是防止因施肥不当或施肥过多,而导致的魔芋芋种或商品魔芋容易腐烂的问题,使魔芋营养根便于吸收,增加底肥利用率,提升产量。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:林下魔芋人工种植方法,包括种植地选择、土壤消毒、种芋选择、播种、中期管理和采收步骤,在播种步骤中,施底肥,底肥位于种芋顶部的周向上,环状放置,底肥与种芋用土壤分隔且间隔不小于15厘米。

上述方法在播种步骤中,种芋放置时芽窝斜朝上,与水平面夹角40°至50°放置。

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