[发明专利]一种半导体封装及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一第一布线基板，在所述第一布线基板的中间区域形成第一凹槽，在所述第一布线基板上形成第一导电柱和第二导电柱，将第一半导体芯片贴装在所述第一布线基板上，并使得所述第一半导体芯片的一部分嵌入到所述第一凹槽中，接着在所述第一布线基板上形成第一封装胶层，所述第一封装胶层包裹所述第一导电柱、第二导电柱和所述第一半导体芯片，所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出，所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，接着在所述第一布线基板的背面植球，以形成第一封装件；

(2)提供一第二布线基板，在所述第二布线基板的中间区域形成第二凹槽，将第二半导体芯片贴装在所述第二布线基板上，并使得所述第二半导体芯片的一部分嵌入到所述第二凹槽中，接着在所述第二半导体芯片的背面叠置第三半导体芯片和第四半导体芯片，所述第三半导体芯片和所述第四半导体芯片相邻且间隔设置，接着在所述第二布线基板上形成第二封装胶层，接着在所述第二封装胶层中形成分别电连接至所述第三半导体芯片和第四半导体芯片的第一导电通孔和第二导电通孔，在所述第一导电通孔和所述第二导电通孔上分别形成第一焊球和第二焊球，接着在所述第二布线 基板的背面植球，以形成第二封装件；

(3)提供第一载板，在所述第一载板上形成第一钝化层，在所述第一钝化层上形成第一重布线层，在所述第一重布线层上形成第三导电柱和第四导电柱，将第五半导体芯片贴装在所述第一重布线层上，接着在所述第一重布线层上形成第三封装胶层，所述第三封装胶层包裹所述第三导电柱、第四导电柱和所述第五半导体芯片，所述第三导电柱的一部分从所述第三封装胶层的侧面露出，所述第四导电柱的一部分从所述第三封装胶层的上表面露出，接着在所述第四导电柱上植球，接着去除所述第一载板，以形成第三封装件；

(4)提供一柔性线路基板，将所述第一封装件贴装在所述柔性线路基板的中间区域，将两个所述第二封装件分别贴装在所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域，接着在所述第一、第二封装件上设置第二载板；

(5)接着对所述所述柔性线路基板的中间区域、所述第一布线基板以及所述第一半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第一穿孔，接着对所述所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域、第二线路基板以及所述第二半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第二穿孔；

(6)接着在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱和第二加强柱，所述第一加强柱和所述第二加强柱中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板中的树脂材料的热膨胀系数，接着去除所述第二载板；

(7)接着在所述第一封装件上设置第三封装件，并使得第二导电柱与所述第四导电柱电连接，接着将所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装件均贴装至所述第一封装件的侧壁和所述第三封装件的侧壁，并使所述第一焊球电连接至所述第三导电柱，所述第二焊球电连接至所述第一导电柱。

2.根据权利要求1所述的半导体封装的形成方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述第一导电柱比所述第二导电柱更靠近所述第一布线基板的边缘，所述第一导电柱的高度小于所述第二导电柱的高度，所述第一半导体芯片正装或倒装在所述第一凹槽中，通过减薄所述第一封装胶层以使得所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，通过切割所述第一布线基板以及所述第一封装胶层的边缘区域以使得所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出。

3.根据权利要求1所述的半导体封装的形成方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，所述第二凹槽的尺寸大于所述第二半导体芯片的尺寸，进而使得所述第二半导体芯片与所述第二凹槽之间具有间隙，所述第二封装胶层的一部分嵌入到所述间隙中，所述第三半导体芯片和第四半导体芯片与所述第二半导体芯片之间通过绝缘粘结层进行固定。

4.根据权利要求1所述的半导体封装的形成方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，所述第三导电柱比所述第四导电柱更靠近所述第一重布线层的边缘，所述第三导电柱的高度小于所述第四导电柱的高度，通过减薄所述第三封装胶层以使得所述第四导电柱的一部分从所述第三封装胶层的上表面露出，通过切割所述第一钝化层、第一重布线层以及第三封装胶层的边缘区域以使得所述第三导电柱的一部分从所述第三封装胶层的侧面露出。