[发明专利]一种CeO2 有效
| 申请号： | 202010949994.7 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112164592B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陶凯;薛志高;韩磊 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/48;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ceo base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)将泡沫镍分别用盐酸和丙酮进行预处理，去除其表面的氧化物、油渍杂质；
(2)将0.30g的Co(NO3)2·6H2O和0.65g的2-甲基咪唑，分别溶解于20mL去离子水中，得到溶液A和溶液B，将溶液A与溶液B充分混合、搅拌后，将处理干净的泡沫镍加入到混合溶液中，静置4小时，取出样品、充分洗涤、干燥后得到Co-ZIF-L纳米片阵列；
(3)将0.15g硫代乙酰胺溶于50mL无水乙醇中，充分溶解，将Co-ZIF-L纳米片阵列加入，将样品在120℃条件下硫化4小时，洗涤、干燥后得到Co3S4纳米片阵列；
(4)将0.21g Ce(NO3)3·6H2O与0.4g六次甲基四胺，各自溶解于20mL乙醇，得到溶液C和溶液D，将溶液C与溶液D充分混合，加入Co3S4纳米片阵列进行溶剂热反应，反应温度为180℃，反应时间为6h，取出洗涤、干燥后，得到CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的。
2.根据权利要求1所述制备方法制备获得的CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列。
3.根据权利要求1所述制备方法制备获得的CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列作为电容器电极材料的用途。
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