[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置在审
申请号: | 202010950350.X | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN114171552A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 程博;苟结;都蒙蒙;颜俊;张波;杨益祥;张振华;马宏伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/544;H01L21/77 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 范芳茗 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括:
衬底基板,包括显示区、位于所述显示区至少一侧的邦定区和位于所述显示区至少另一侧的侧边区;
多个子像素,位于所述显示区中;
栅极驱动电路,位于所述侧边区,所述栅极驱动电路与所述多个子像素连接,并且被配置为向所述多个子像素提供栅极驱动信号;
多个输入接触垫,位于所述邦定区,用于与外部电路电连接;
多个输出接触垫,位于所述邦定区,且位于所述多个输入接触垫与所述显示区之间,所述多个输出接触垫与所述多个子像素和所述栅极驱动电路电连接;
接触垫绝缘层,位于所述邦定区,且位于所述多个输入接触垫中相邻输入接触垫之间的间隙、所述多个输出接触垫中相邻输出接触垫之间的间隙、以及所述多个输入接触垫与所述多个输出接触垫之间的区域,所述多个输入接触垫和所述多个输出接触垫的背离所述衬底基板的表面从所述接触垫绝缘层外露,其中所述接触垫绝缘层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分,所述第二厚度小于所述第一厚度,所述多个输入接触垫和所述多个输出接触垫的边缘被所述接触垫绝缘层的第一部分覆盖,所述接触垫绝缘层的第二部分位于所述多个输入接触垫与所述多个输出接触垫之间的区域中。
2.根据权利要求书1所述的显示基板,还包括:多个第一虚拟接触垫,位于所述邦定区,且位于所述多个输入接触垫与所述多个输出接触垫之间的区域中,其中,
所述多个第一虚拟接触垫的边缘被所述接触垫绝缘层的第一部分覆盖,所述多个第一虚拟接触垫的背离所述衬底基板的表面从所述接触垫绝缘层的第一部分外露;并且
所述接触垫绝缘层的第二部分包括第一子部分和第二子部分,所述第一子部分位于所述多个第一虚拟接触垫与所述多个输入接触垫之间的区域,所述第二子部分位于所述多个第一虚拟接触垫与所述多个输出接触垫之间的区域。
3.根据权利要求书2所述的显示基板,还包括:多个阵列测试接触垫,位于所述邦定区,且位于所述多个第一虚拟接触垫与所述多个输入接触垫之间的区域中,所述多个阵列测试接触垫与所述多个子像素电连接,其中,
所述接触垫绝缘层的第一部分包括第一子部分和第二子部分,所述多个输入接触垫的边缘、所述多个输出接触垫的边缘和所述第一虚拟接触垫的边缘被所述接触垫绝缘层的第一部分的第一子部分覆盖,所述多个阵列测试接触垫的边缘被所述接触垫绝缘层的第一部分的第二子部分覆盖,所述多个阵列测试接触垫的背离所述衬底基板的表面从所述接触垫绝缘层的第一部分外露;并且
所述接触垫绝缘层的第一部分的第二子部分在所述衬底基板上的投影位于所述接触垫绝缘层的第二部分的第一子部分在所述衬底基板的投影之内。
4.根据权利要求书1所述的显示基板,其中,所述多个输入接触垫和所述多个输出接触垫中的每一个在所述衬底基板上的投影与所述接触垫绝缘层的第二部分在所述衬底基板的投影之间的间距在3微米至100微米的范围内。
5.根据权利要求书1所述的显示基板,其中,所述第二厚度为0。
6.根据权利要求书3所述的显示基板,其中,
所述多个输入接触垫沿第一方向排列成至少第一行,所述第一方向为所述显示区的面向所述邦定区的侧边的延伸方向;
所述多个输出接触垫沿第一方向排列成至少第二行;
所述多个第一虚拟接触垫沿第一方向排列成至少第三行;
所述多个阵列测试接触垫沿第一方向排列成至少第四行。
7.根据权利要求书6所述的显示基板,还包括:多个第二虚拟接触垫,位于所述邦定区,沿垂直于所述第一方向的第二方向排列成至少第一列和第二列,其中第一列和第二列分别位于所述多个第一虚拟接触垫在第一方向上的两侧,其中,
所述多个第二虚拟接触垫的边缘被所述接触垫绝缘层的第一部分覆盖,所述多个第二虚拟接触垫的背离所述衬底基板的表面从所述接触垫绝缘层的第一部分外露;并且
所述多个第二虚拟接触垫中的每一个在所述衬底基板上的投影与所述接触垫绝缘层的第二部分在所述衬底基板的投影之间的间距在3微米至100微米的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的