[发明专利]一种倒装红光LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：

S01、在临时衬底上生长外延叠层，所述外延叠层至少包括沿生长方向依次堆叠的n-AlGaInP扩展层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层、p-GaP窗口层；

S02、在所述p-GaP窗口层表面沉积第一ITO层，用于解决因所述p-GaP窗口层太厚所导致的吸光；

S03、在所述第一ITO层上蒸镀形成第一SiO2键合层；

S04、将永久衬底抛光并在表面沉积形成第二SiO2键合层后，将其与所述外延叠层进行键合；

S05、剥离所述临时衬底；

S06、通过ICP刻蚀至部分所述p-GaP窗口层，形成发光台面；

S07、在所述发光台面的水平裸露面沉积形成第二ITO层，并裸露部分所述n-AlGaInP扩展层，用于解决因所述n-AlGaInP扩展层太厚所导致的吸光；

S08、在所述n-AlGaInP扩展层的裸露面蒸镀形成第二电极；

S09、在所述p-GaP窗口层的裸露面蒸镀形成第一电极；

S10、沉积形成一隔离层，所述隔离层覆盖所述外延叠层背离所述永久衬底一侧的裸露面；

S11、切割、裂片，取得LED芯片。

2.根据权利要求1所述的倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S02包括：粗化所述p-GaP窗口层，并在所述p-GaP窗口层的粗化表面沉积所述第一ITO层。

3.根据权利要求1所述的倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S11还包括对经切割、裂片所取得的LED芯片进行激光切割，使所述永久衬底通过激光切割形成斜侧壁。

4.根据权利要求1所述的倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述永久衬底包括蓝宝石衬底或SiC衬底。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述n-AlGaInP扩展层及n-AlInP限制层之间设有DBR层。

6.一种倒装红光LED芯片，其特征在于，包括：

永久衬底；

外延叠层，所述外延叠层通过复合键合层键合形成于所述永久衬底的表面；所述复合键合层包括沿第一方向依次堆叠的第一SiO2键合层和第二SiO2键合层，所述第二SiO2键合层靠近所述永久衬底设置；所述第一SiO2键合层通过蒸镀形成，所述第二SiO2键合层通过沉积形成；所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的n-AlGaInP扩展层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层及p-GaP窗口层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至p-GaP窗口层的表面形成凹槽及发光台面；所述第一方向垂直于所述永久衬底，并由所述外延叠层指向所述永久衬底；

第一ITO层，所述第一ITO层层叠于所述p-GaP窗口层背离所述p-AlInP限制层的一层表面，且所述第一SiO2键合层设置于所述第一ITO层背离所述p-GaP窗口层的一侧表面；用于解决因所述p-GaP窗口层太厚所导致的吸光；

第二ITO层，所述第二ITO层沉积于所述发光台面的水平表面并裸露部分所述n-AlGaInP扩展层，用于解决因所述n-AlGaI nP扩展层太厚所导致的吸光；

第一电极，所述第一电极层叠于所述p-GaP窗口层的裸露面；

第二电极，所述第二电极层叠于所述n-AlGaInP扩展层的裸露面；

隔离层，所述隔离层覆盖所述外延叠层背离所述永久衬底一侧的裸露面。

7.根据权利要求6所述的倒装红光LED芯片，其特征在于，所述第二SiO2键合层的粘附性大于所述第一SiO2键合层的粘附性。

8.根据权利要求6所述的倒装红光LED芯片，其特征在于，所述p-GaP窗口层具有粗化表面，所述第一ITO层层叠于所述粗化表面。

9.根据权利要求6所述的倒装红光LED芯片，其特征在于，所述永久衬底具有斜侧壁。

10.根据权利要求6所述的倒装红光LED芯片，其特征在于，在所述n-AlGaInP扩展层及n-AlInP限制层之间设有DBR层。