[发明专利]一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

S1、在衬底上生长In₂O₃籽晶层；

S2、在S1生长的In₂O₃籽晶层上生长ITO薄膜；

S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理。

2.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：在衬底上生长In₂O₃籽晶层的温度为室温；在衬底上生长In₂O₃籽晶层的靶材为In₂O₃靶材。

3.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：In₂O₃籽晶层的磁控溅射的功率密度在30mW/cm²-500 mW/cm²。

4.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：In₂O₃籽晶层的磁控溅射的气氛为H₂与Ar的混合气氛，且H₂与Ar的流量比为1:50-1:100。

5.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：In₂O₃籽晶层的厚度为1-10nm；所述的生长完In₂O₃籽晶层后，生长ITO薄膜之前，腔室不破空。

6.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：所述的在In₂O₃籽晶层上生长ITO薄膜的靶材为ITO靶材，其中In、Sn的重量比为5:95-10:90。

7.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：所述的ITO薄膜层的磁控溅射的功率密度在30mW/cm²-500 mW/cm²。

8.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：所述的ITO薄膜层的磁控溅射的气氛为H₂、O₂与Ar的混合气氛，且H₂与Ar的流量比在1:50-1:100之间，H₂与O₂的流量比在1:1-1:10之间。

9.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：所述的ITO薄膜层的厚度依器件要求而定，复合薄膜进行退火的气氛为空气；复合薄膜进行退火的气压为0.8-1.2atm；复合薄膜进行退火的温度为180-220℃；复合薄膜进行退火的时间为为10-60min。

10.一种如权利要求1-9中任一项方法制备得到的所述高透高迁移率ITO薄膜，其特征在于：该ITO薄膜透过率与载流子迁移率高，薄膜材料的性能得到显著提高。