[发明专利]一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法在审
申请号: | 202010951310.7 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN112144029A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 张悦;庞先标;刘曙光;杨荣 | 申请(专利权)人: | 中兴能源有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 吕玲 |
地址: | 643000 四川省自*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高透高 迁移率 ito 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
S1、在衬底上生长In2O3籽晶层;
S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜;
S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理。
2.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法,其特征在于:在衬底上生长In2O3籽晶层的温度为室温;在衬底上生长In2O3籽晶层的靶材为In2O3靶材。
3.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法,其特征在于:In2O3籽晶层的磁控溅射的功率密度在30mW/cm2-500 mW/cm2。
4.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法,其特征在于:In2O3籽晶层的磁控溅射的气氛为H2与Ar的混合气氛,且H2与Ar的流量比为1:50-1:100。
5.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法,其特征在于:In2O3籽晶层的厚度为1-10nm;所述的生长完In2O3籽晶层后,生长ITO薄膜之前,腔室不破空。
6.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法,其特征在于:所述的在In2O3籽晶层上生长ITO薄膜的靶材为ITO靶材,其中In、Sn的重量比为5:95-10:90。
7.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法,其特征在于:所述的ITO薄膜层的磁控溅射的功率密度在30mW/cm2-500 mW/cm2。
8.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法,其特征在于:所述的ITO薄膜层的磁控溅射的气氛为H2、O2与Ar的混合气氛,且H2与Ar的流量比在1:50-1:100之间,H2与O2的流量比在1:1-1:10之间。
9.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法,其特征在于:所述的ITO薄膜层的厚度依器件要求而定,复合薄膜进行退火的气氛为空气;复合薄膜进行退火的气压为0.8-1.2atm;复合薄膜进行退火的温度为180-220℃;复合薄膜进行退火的时间为为10-60min。
10.一种如权利要求1-9中任一项方法制备得到的所述高透高迁移率ITO薄膜,其特征在于:该ITO薄膜透过率与载流子迁移率高,薄膜材料的性能得到显著提高。
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