[发明专利]具有字线分隔层的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括单元阵列区和连接区，连接区包括贯穿硅过孔区；

外围电路结构，设置在基底上；

下堆叠件和上堆叠件，下堆叠件设置在外围电路结构上，上堆叠件设置在下堆叠件上，下堆叠件包括多个下绝缘层和与所述多个下绝缘层交替地堆叠的多条下字线；

多个沟道结构，在单元阵列区中延伸穿过下堆叠件和上堆叠件；

多个虚设沟道结构，在连接区中延伸穿过下堆叠件和上堆叠件；

一对分隔绝缘层，竖直地延伸穿过下堆叠件和上堆叠件并且在第一方向上延伸，所述一对分隔绝缘层在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及

字线分隔层，设置在下堆叠件的上部处并且当在平面图中观看时与所述一对分隔绝缘层交叉，字线分隔层竖直地延伸穿过所述多条下字线中的至少一条下字线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，字线分隔层设置在单元阵列区与贯穿硅过孔区之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

下层间绝缘层，覆盖下堆叠件，

其中，字线分隔层的上表面与下层间绝缘层的上表面设置在相同的水平处。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，字线分隔层设置在虚设沟道结构之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当在纵向剖视图中观看时所述一对分隔绝缘层完全延伸穿过字线分隔层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，字线分隔层的横向端部设置在所述一对分隔绝缘层的外部。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

贯穿硅过孔，设置在贯穿硅过孔区中，贯穿硅过孔延伸穿过上堆叠件和下堆叠件并且连接到外围电路结构。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个虚设沟道结构中的至少一个虚设沟道结构竖直地延伸穿过字线分隔层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

多个虚设分隔绝缘层，设置在所述一对分隔绝缘层之间并且在第二方向上彼此间隔开。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，字线分隔层与所述多个虚设分隔绝缘层交叉。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，字线分隔层设置在贯穿硅过孔区与所述多个虚设分隔绝缘层之间。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

下堆叠件在连接区中具有阶梯结构；以及

字线分隔层延伸穿过阶梯结构的一部分。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

下层间绝缘层，覆盖下堆叠件，

其中，字线分隔层的上表面设置在比下层间绝缘层的上表面低的水平处。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，字线分隔层的在第二方向上的剖面与所述一对分隔绝缘层的侧表面接触。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，字线分隔层将所述多条下字线的部分与所述多个沟道结构电绝缘。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，字线分隔层竖直地延伸穿过所述多条下字线之中的设置在最上层处的下字线，字线分隔层的上表面与上堆叠件的下表面接触。