[发明专利]一种负离子发生装置

权利要求书

1.一种负离子发生装置，其特征在于，包括：电源、芯片电源板、MCU控制单元、高压发生模块、风扇、负离子发射头；所述高压发生模块包括：驱动模块、输出反馈、压电陶瓷变压器、倍压电路；所述芯片电源板、MCU控制单元、驱动模块、压电陶瓷变压器、倍压电路、输出反馈顺次连接；MCU控制单元与输出反馈连接；倍压电路与负离子发射头连接；风扇、芯片电源板、驱动模块分别与电源连接；

所述芯片电源板用于提供稳定的电压给MCU芯片供电；

所述驱动模块用于产生交变电压；

所述输出反馈用于检测压电陶瓷变压器是否有正常输出；

所述MCU控制单元用于输出与压电陶瓷变压器谐振频率一致的方波；

所述压电陶瓷变压器用于在驱动模块产生的交变电压作用下产生纯净正弦波；

所述倍压电路用于将压电陶瓷变压器输出电压再次放大；

所述负离子发射头为碳元素制作的释放尖端，用于对空气放电，产生负离子；

所述风扇，用于将负离子推送出去，负离子发射头，设于风扇的一侧。

2.如权利要求1所述的一种负离子发生装置，其特征在于，驱动模块包括电阻R3、电阻R4、MOS管Q1、电感L1、电容C4、电容C5、电容C6，电阻R3和MOS管Q1的栅极相互串联连接；电阻R4的一端接在电阻R3和MOS管Q1的栅极之间；MOS管的漏极与电感L1的一端相连，其源极接地；电感L1的另一端接入12V电源，MOS管Q1的漏极与地之间设有电容C5与电容C6，电容C5与电容C6串联。

3.如权利要求1所述的一种负离子发生装置，其特征在于，压电变压器的脚1连接在MOS管Q1的漏极和电感L1的一端之间；压电变压器的脚2接地；其结构用于产生交变电压。

4.如权利要求1所述的一种负离子发生装置，其特征在于，所述倍压电路包括二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、电容C8、电容C9和电容C10；二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5相互并联连接，电容C9连接在二极管D4的正极与二极管D3的负极之间；电容C10连接在二极管D2的正极与二极管D5的负极之间；电容C8连接在二极管D5的正极与二极管D3的负极之间；二极管D3负极还与压电变压器YD的脚2接地端相连，二极管D3正极还与压电变压器YD的脚3相连；在正弦波的作用下产生并输出负离子。

5.如权利要求1所述的一种负离子发生装置，其特征在于，反馈电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、电容C7，所述电阻R6、电阻R7、电容C7并联，电阻R6的一端与二极管D1的负极连接，电阻R7的一端与二极管D1的正极连接，电阻R6的另一端、电阻R7的另一端分别接地，电阻R5的一端连接在二极管D1的负极于电阻R6之间，电阻R5的另一端连接在二极管D3的负极与压电变压器2的脚3之间。

6.如权利要求1所述的一种负离子发生装置，其特征在于，MCU芯片U1的引脚7输出与MCU芯片U1工作频率一致方波使由电阻R3、电阻R4、电感L1、电容C4、MOS管Q1组成的驱动模块工作。

7.如权利要求1所述的一种负离子发生装置，其特征在于，压电变压器在交变电压下产生机械震动，在压电变压器的次级产生与输入频率相同。