[发明专利]掺杂碳源以及垂直舟装置在审
申请号: | 202010953038.6 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN112002633A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 吕新杨;易明辉;周铁军 | 申请(专利权)人: | 广东先导先进材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/02;H01L21/673 |
代理公司: | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 张向琨 |
地址: | 511517 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 碳源 以及 垂直 装置 | ||
1.一种掺杂碳源(5),用于在半绝缘砷化镓晶体生长中掺入碳,其特征在于,
掺杂碳源(5)为内径和外径均沿轴向上大下小的母空心锥台(51);
母空心锥台(51)包括沿轴向能够堆叠的多个子空心锥台(511),各子空心锥台(511)的内径和外径均形成为沿轴向上大下小,
母空心锥台(51)配置成:在首次使用时,多个子空心锥台(511)沿轴向堆叠在一起使用,在重复使用时可选地去掉沿轴向位于最外端的一个子空心锥台(511)来使用。
2.一种垂直舟装置(100),用于半绝缘砷化镓晶体生长并掺入碳,其特征在于,
垂直舟装置(100)包括石英管(1)、石英中圈(2)、前段PBN坩埚(3)、后段PBN坩埚(4)以及根据权利要求1所述的掺杂碳源(5);
石英管(1)包括第一空心锥台段(11)和第一筒段(12),第一空心锥台段(11)的内径沿轴向上大下小,第一筒段(12)沿轴向连接在第一空心锥台段(11)的上方;
石英中圈(2)用于固定在石英管(1)的第一筒段(12)内,石英中圈(2)包括第二空心锥台段(21),第二空心锥台段(21)的内径沿轴向上大下小;
前段PBN坩埚(3)包括第三空心锥台段(31),第三空心锥台段(31)用于收容砷化镓多晶料(M),第三空心锥台段(31)的外径沿轴向上大下小,第三空心锥台段(31)用于沿径向间隔开地位于石英管(1)的第一空心锥台段(11)内;
后段PBN坩埚(4)包括第四空心锥台段(41),第四空心锥台段(41)用于收容砷化镓多晶料(M),第四空心锥台段(41)的外径沿轴向上大下小,第四空心锥台段(41)用于沿径向间隔开地位于石英中圈(2)的第二空心锥台段(21)内;
掺杂碳源(5)用于沿径向夹在前段PBN坩埚(3)的第三空心锥台段(31)与石英管(1)的第一空心锥台段(11)之间和/或掺杂碳源(5)用于沿径向夹在后段PBN坩埚(4)的第四空心锥台段(41)与石英中圈(2)的第二空心锥台段(21)之间。
3.根据权利要求2所述的垂直舟装置(100),其特征在于,
石英管(1)还包括第二筒段(13),第二筒段(13)沿轴向连接在第一空心锥台段(11)的下方,第二筒段(13)的内径小于第一筒段(12)的内径,第二筒段(13)沿轴向的下端封闭;
前段PBN坩埚(3)还包括第三筒段(32),第三筒段(32)沿轴向连接在第三空心锥台段(31)的下方,第三筒段(32)沿轴向的下端封闭,第三筒段(32)用于收容籽晶(S),第三筒段(32)用于沿径向间隔开地位于石英管(1)的第二筒段(13)内。
4.根据权利要求2所述的垂直舟装置(100),其特征在于,
石英中圈(2)还包括第四筒段(22),第四筒段(22)沿径向位于第二空心锥台段(21)的外侧且沿轴向在上端连接于第二空心锥台段(21)的上端,第四筒段(22)用于沿径向固定在石英管(1)的第一筒段(12)内。
5.根据权利要求2所述的垂直舟装置(100),其特征在于,
前段PBN坩埚(3)还包括第五筒段(33),第五筒段(33)沿轴向连接在第三空心锥台段(31)的上方,第五筒段(33)沿轴向的上端敞开,第三筒段(32)用于收容砷化镓多晶料(M),第三筒段(32)用于沿径向间隔开地位于石英管(1)的第一筒段(12)内。
6.根据权利要求2所述的垂直舟装置(100),其特征在于,
前段PBN坩埚(3)的第三空心锥台段(31)的内壁面包括上倾斜面(311)、中间过渡面(312)和下倾斜面(313),下倾斜面(313)沿径向位于上倾斜面(311)的延长面(E)的外侧,中间过渡面(312)将上倾斜面(311)和下倾斜面(313)连接;
当掺杂碳源(5)用于沿径向夹在前段PBN坩埚(3)的第三空心锥台段(31)与石英管(1)的第一空心锥台段(11)之间时,掺杂碳源(5)沿径向夹在前段PBN坩埚(3)的第三空心锥台段(31)的下倾斜面(313)与石英管(1)的第一空心锥台段(11)之间,中间过渡面(312)用于限制掺杂碳源(5)向上的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造