[发明专利]一种砷掺杂三氧化二锰靶材及其制备方法有效
申请号: | 202010953109.2 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN112195446B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 文崇斌;朱刘;童培云;吴彩红;曾成亮;余芳 | 申请(专利权)人: | 先导薄膜材料(广东)有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C22C29/12;C22C1/05 |
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地址: | 511517 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 二锰靶材 及其 制备 方法 | ||
1.一种砷掺杂三氧化二锰靶材及其制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
(1)将AsMn粉末和Mn2O3粉末混合均匀,得到混合料;
(2)将步骤(1)得到的混合料装入一包套中,将其放入热等静压炉进行烧结,随后降温出炉,即得到砷掺杂三氧化二锰靶材。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,AsMn粉末和Mn2O3粉末的质量比为3~5%:95~97%。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,AsMn粉末的粒度为-70目;Mn2O3粉末的粒度为-100目。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,混合操作为装入混料机中进行混合。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,装入包套后还包括以下步骤:将包套抽真空焊接密封。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,烧结工艺为先将炉体抽真空至绝对真空度低于10Pa,然后升温到600~650℃,保温30min,随后开始加压,压力达到75~80MPa后,继续保温30min~50min,最后升温至750~800℃,保温60-70min。
7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,升温至600~650℃的升温速率为6~8℃/min,升温至750~800℃的升温速率为2~3℃/min。
8.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,降温出炉操作为随炉降温至小于300℃时开始泄压,降温到室温后,出炉。
9.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,还包括步骤(3),将步骤(2)所得的砷掺杂三氧化二锰靶材进行机械加工、研磨及抛光处理。
10.一种砷掺杂三氧化二锰靶材,其特征在于,该靶材采用权利要求1-9任一所述的砷掺杂三氧化二锰靶材的制备方法制备得到。
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