[发明专利]一种硫沉积储层伤害时空分布特征预测方法在审

专利信息
申请号: 202010953418.X 申请日: 2020-09-11
公开(公告)号: CN114169559A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 祝浪涛;刘成川;杨丽娟;吴亚军;张明迪;王本成;王勇飞;李毓;任世林;温善志;荀威;贾晓静;杨杰 申请(专利权)人: 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司西南油气分公司
主分类号: G06Q10/04 分类号: G06Q10/04;G06F30/20;G06F17/13;G06Q50/02
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 钟勤
地址: 100728 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 沉积 伤害 时空 分布 特征 预测 方法
【权利要求书】:

1.一种硫沉积储层伤害时空分布特征预测方法,其特征在于,包括以下步骤:

获得气井控制储层的单质硫流体相图,并从所述单质硫流体相图获取所述气井控制储层温度条件下的硫析出压力Ps及析出状态;

测量所述气井控制储层的气样硫溶解量和地层饱和单质硫含量;

基于所述单质硫流体相图和所述气井控制储层的气样硫溶解量和地层饱和单质硫含量,建立所述气井控制储层的元素硫溶解模型;

通过单质硫岩心驱替实验获得单质硫的硫饱和度Ss,并根据岩芯驱替实验的参数,获得不同参数条件下获得的硫饱和度Ss对应的气相相对渗透率Krg

基于封闭定容气藏物质平衡方程获得所述气井控制储层的平均地层压力P与所述气井控制储层的气井累积产气量Q的关系;

基于元素硫溶解模型、不同参数条件下获得的硫饱和度Ss对应的气相相对渗透率Krg和所述气井控制储层的平均地层压力P与所述气井控制储层的气井累积产气量Gp的关系,建立所述气井控制储层的硫沉积储层伤害时空变化规律预测模型;

根据所述硫沉积储层伤害时空变化规律预测模型预测所述气井控制储层出现硫沉积的时间和位置、硫沉积程度。

2.根据权利要求1所述的硫沉积储层伤害时空分布特征预测方法,其特征在于,所述气井控制储层的单质硫流体相图通过单质硫在所述气井的地层条件下的单质硫析出曲线、单质硫凝固曲线、单质硫露点线、单质硫泡点线获得。

3.根据权利要求2所述的硫沉积储层伤害时空分布特征预测方法,其特征在于,所述元素硫溶解模型为:

式中:T—单质硫流体温度,K;

ρ—单质硫流体密度,kg/m3

Cr—硫溶解度,g/m3

K,M,N—拟合回归常数;

P—平均地层压力,MPa;

Ps—气井控制储层温度条件下元素硫开始析出压力,MPa;

Ci—气井控制储层条件下硫组分初始浓度,g/m3

4.根据权利要求1所述的硫沉积储层伤害时空分布特征预测方法,其特征在于,所述岩芯驱替实验的参数至少包括岩心驱替压差、岩心长度、气体粘度、气体渗流速度、岩芯孔隙度中的任一参数。

5.根据权利要求4所述的硫沉积储层伤害时空分布特征预测方法,其特征在于,所述硫饱和度Ss与气相相对渗透率Krg的对应关系满足以下表达式:

Krg=krgiexp(αSs) (2)

式中:α—回归参数;

krgi—气相相对渗透率最大端点值。

6.根据权利要求5所述的硫沉积储层伤害时空分布特征预测方法,其特征在于,所述硫饱和度Ss与所述岩芯驱替实验的参数的关系式为:

其中,p表示井筒内压力,MPa;q表示产气量,m3/d;h表示储层厚度,m;r表示径向半径,即气井控制半径以内的储层到气井井底的距离,m;μ表示流体黏度,mPa.s;k表示储层渗透率,m2;表示受紊流影响的系数,m-1;ρ表示流体密度,kg/m3;γg表示气体相对密度,无量纲;R表示摩尔气体常数,无量纲;Z表示气体偏差因子,无量纲;T表示气体绝对温度,K;qsc表示标准状态下的气井产气量;swi表示束缚水饱和度,无量纲;ρs表示液相硫的密度,kg/m3;Bg表示气体体积系数,无量纲。

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