[发明专利]一种晶圆键合方法

权利要求书

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：

对待键合的晶圆进行等离子体活化处理；

对经过等离子体活化处理后的晶圆进行清洗；

以梯度升温模式对清洗后的晶圆进行氮气干燥；

对干燥后的晶圆进行预键合和键合。

2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，氮气干燥步骤中，氮气温度为23～150℃。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆键合方法，氮气干燥步骤中，所述梯度升温模式包括第一梯度和第二梯度，其中，所述第一梯度氮气温度为23～70℃，第二梯度氮气温度为70～150℃。

4.根据权利要求3所述的晶圆键合方法，所述第一梯度氮气流速为10～20L/min。

5.根据权利要求3所述的晶圆键合方法，所述第二梯度氮气流速为10～20L/min。

6.根据权利要求1或2所述的晶圆键合方法，在清洗步骤之后、氮气干燥步骤之前还依次包括二相流喷射步骤和超纯水喷射步骤。

7.根据权利要6所述的晶圆键合方法，所述二相流包括水相和水相中夹带的微纳米气泡。

8.根据权利要求1或2所述的晶圆键合方法，氮气干燥步骤中，氮气流在晶圆表面从晶圆中心向外吹扫并进行往复运动。

9.根据权利要求8所述的晶圆键合方法，氮气流吹扫距离为距离晶圆表面20～50mm。