[发明专利]一种晶圆键合方法

权利要求书

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆；

在使用等离子体对所述第一晶圆的第一表面和第二晶圆的第二表面进行激活处理的同时对等离子体施加射频脉冲偏压，设置偏压电极的电位以平均电位为中心振荡，所述偏压电极的电位低于等离子体空间电位，所述偏压电极的电位在一个脉冲周期内的部分时间使得电极处于偏压状态，使所述第一表面与所述第二表面形成Si悬挂键；

对激活处理后的所述第一晶圆和第二晶圆进行亲水处理，以在所述第一表面和第二表面形成硅羟基键；亲水处理的试剂为氨水、双氧水和水的混合液，或去离子水，所述混合液由25～28％质量百分比的氨水溶液、25～30％质量百分比的双氧水溶液与水以(1:1:5)～(1:1:50)的质量比混合构成；

对亲水处理后的所述第一晶圆和第二晶圆进行贴合，完成预键合；

对预键合后的第一晶圆和第二晶圆进行退火处理，完成键合。

2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，形成所述脉冲偏压等离子体时的脉冲偏压为300～12000V。

3.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，形成所述脉冲偏压等离子体时的放电功率为10～450W。

4.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，形成所述脉冲偏压等离子体的气体为氮气、氧气和氩气中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述亲水处理的试剂流量为0.5～2L/min。

6.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述亲水处理的温度为23℃～65℃。

7.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为100～200℃，退火时间为1～2小时。

8.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述退火处理在常压下进行键合。