[发明专利]一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺在审
申请号: | 202010955914.9 | 申请日: | 2020-09-12 |
公开(公告)号: | CN112086350A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 管迎春;李欣欣 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 激光 研磨 工艺 | ||
1.一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于,包括下述步骤:
步骤一:提供待研磨的半导体晶圆;
步骤二:激光测量计测量晶圆几何参数;
步骤三:与晶圆目标几何参数对比确定首次激光研磨加工余量;
步骤四:设定激光研磨加工工艺参数,完成首次激光研磨加工;
步骤五:再次测量晶圆几何参数;
步骤六:与晶圆目标几何参数对比确定第二次激光研磨加工余量;
步骤七:设定激光研磨加工工艺参数,完成第二次激光研磨加工;
步骤八:重复步骤五、六、七,直至晶圆几何参数满足晶圆目标几何参数要求。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:所述的晶圆几何参数包括厚度、总厚度偏差、翘曲度、弯曲度、平坦度等。
3.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:所述的激光测量计是基于彩色共焦原理的激光同轴位移计。
4.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:所述的晶圆,其制作材料有单晶硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓等。
5.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:晶圆研磨激光参数为:脉宽宽度0.01ps~100ns,激光波长200~1000nm,重复频率30~2000kHz,输出功率1~100W,扫描速度10~4000mm/s,加工次数1~200次。
6.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:所述晶圆研磨激光加工方式采用三维扫描振镜加工,通过设定扫描区域范围,可实现晶圆特定区域研磨加工。
7.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:每一次的激光研磨加工工艺参数均不相同,根据晶圆研磨加工余量调整激光加工工艺参数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造