[发明专利]一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺在审

专利信息
申请号: 202010955914.9 申请日: 2020-09-12
公开(公告)号: CN112086350A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 管迎春;李欣欣 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H01L21/302 分类号: H01L21/302
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 半导体 激光 研磨 工艺
【权利要求书】:

1.一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于,包括下述步骤:

步骤一:提供待研磨的半导体晶圆;

步骤二:激光测量计测量晶圆几何参数;

步骤三:与晶圆目标几何参数对比确定首次激光研磨加工余量;

步骤四:设定激光研磨加工工艺参数,完成首次激光研磨加工;

步骤五:再次测量晶圆几何参数;

步骤六:与晶圆目标几何参数对比确定第二次激光研磨加工余量;

步骤七:设定激光研磨加工工艺参数,完成第二次激光研磨加工;

步骤八:重复步骤五、六、七,直至晶圆几何参数满足晶圆目标几何参数要求。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:所述的晶圆几何参数包括厚度、总厚度偏差、翘曲度、弯曲度、平坦度等。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:所述的激光测量计是基于彩色共焦原理的激光同轴位移计。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:所述的晶圆,其制作材料有单晶硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓等。

5.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:晶圆研磨激光参数为:脉宽宽度0.01ps~100ns,激光波长200~1000nm,重复频率30~2000kHz,输出功率1~100W,扫描速度10~4000mm/s,加工次数1~200次。

6.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:所述晶圆研磨激光加工方式采用三维扫描振镜加工,通过设定扫描区域范围,可实现晶圆特定区域研磨加工。

7.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,其特征在于:每一次的激光研磨加工工艺参数均不相同,根据晶圆研磨加工余量调整激光加工工艺参数。

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