[发明专利]一种钙钛矿晶体薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、制备碘化铅薄膜；

S2、将含甲脒氢碘酸盐的混合物溶于有机溶剂中，掺入去离子水，混合均匀后滴加到经步骤S1制得的所述薄膜表面，静置一段时间后进行涂覆，并在惰性气氛下进行退火处理，制得钙钛矿晶体薄膜。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，S1中，所述碘化铅薄膜中还添加有PbBr₂、PbCl₂、Pb(SCN)₂、Pb(CH₃COO)₂、CsI和CsCl中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，S2中，所述混合物还包括甲脒氢氯酸盐FACl、甲脒氢溴酸盐FABr、甲脒硫氰酸盐FASCN、甲胺氢氯酸盐MACl、甲胺氢溴酸盐MABr、甲胺氢碘酸盐MAI和甲胺硫氰酸盐MASCN中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，S2中，所述混合物由甲脒氢碘酸盐FAI、甲胺氢氯酸盐MACl、甲胺氢溴酸盐MABr按照80：8：8的质量比混合而成。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，S2中，所述有机溶剂为异丙醇、甲苯、氯苯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、异丁醇、对二甲苯、二乙醚、丁醇、丙醇和氯仿中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，S2中，所述去离子水的掺入量占所述含甲脒氢碘酸盐的溶液总体积的比为0.01-10％。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，S2中，所述退火处理的具体过程为：在100-170℃温度条件下热处理10-120分钟。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，S2中，所述钙钛矿晶体薄膜的材料为FAPbI₃、FAPbI_1-xCl_x、FAPbI_xCl_yBr_z、Cs_xFA_(1-x)PbI₃、Cs_xFA_(1-x)Pb(I_yCl_1-y)₃、Cs_xFA_(1-x)Pb(I_xCl_yBr_z)₃、MA_xFA_(1-x)PbI₃、MA_xFA_(1-x)PbI₃、MA_xFA_(1-x)Pb(I_yCl_1-y)₃、MA_xFA_(1-x)Pb(I_xCl_yBr_z)₃、Cs_xMA_yFA_zPbI₃、Cs_xMA_yFA_zPb(I_nCl_1-n)₃和Cs_xMA_yFA_zPb(I_nCl_gBr_h)₃中的一种。