[发明专利]一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法

权利要求书

1.一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将试样加热或冷却至起始测试温度；设置直流偏置电压，使得试样的电场强度为0V/mm并保持第一设定时间后撤去直流偏置电压，测量试样在设定的交流信号下的频域介电谱，随后按照设定升温速率升温，不间断测量试样的频域介电谱直到试样温度达到预设的结束测试温度，获得试样的第一频域介电谱；

2）将试样加热或者冷却到起始测试温度；设置直流偏置电压，使得试样的电场强度为nV/mm并保持第一设定时间后撤去直流偏置电压，测量试样在设定的交流信号下的频域介电谱，随后按照设定升温速率升温，不间断测量试样的频域介电谱直到试样温度达到预设的结束测试温度，获得试样的第二频域介电谱；

3）第二频域介电谱减去第一频域介电谱，得到压敏陶瓷界面态响应曲线；

其中，n小于试样的击穿场强。

2.根据权利要求1所述的一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法，其特征在于，所述试样为压敏陶瓷。

3.根据权利要求1所述的一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法，其特征在于，所述试样为钛酸铜钙压敏陶瓷。

4.根据权利要求1所述的一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法，其特征在于，起始测试温度为-140℃，结束测试温度为30℃。

5.根据权利要求1所述的一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法，其特征在于，第一设定时间为3 min。

6.根据权利要求1所述的一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法，其特征在于，所述交流信号的电压为1 V。

7.根据权利要求1所述的一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法，其特征在于，n=40。

8.根据权利要求1所述的一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法，其特征在于，所述试样为预处理后的试样；所述预处理具体为50℃下预处理24h。

9.根据权利要求1所述的一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法，其特征在于，步骤1）和步骤2）设置的升温速率为3℃/min。