[发明专利]半导体硅片保护层制作方法

权利要求书

1.一种半导体硅片保护层制作方法，其特征在于，所述半导体硅片保护层制作方法包括：

提供半导体硅片；

使得所述半导体硅片在低转速状态下匀速旋转；

将黏度范围为5cp～80cp的光刻胶，滴涂于所述半导体硅片表面的中心；

使得所述半导体硅片在低转速状态下保持5s～15s，扩大所述光刻胶的覆盖面积；

在2s～5s时间段内，使得所述半导体硅片由低速旋转状态提升至高速旋转状态，甩出多余光刻胶；

在高速旋转状态，所述半导体硅片保持25s～45s时间，使得所述光刻胶的厚度达到8000A～50000A；

通过边缘胶去除工艺，根据预定去边宽度，去除所述半导体硅片边缘位置处的光刻胶。

2.如权利要求1所述的半导体硅片保护层制作方法，其特征在于，在所述将黏度范围为5cp～80cp的光刻胶，滴涂于所述半导体硅片表面的中心的步骤之前，还进行：

对所述半导体硅片的表面进行增粘处理，使得所述半导体硅片的表面具有疏水性。

3.如权利要求2所述的半导体硅片保护层制作方法，其特征在于，在所述半导体硅片的表面进行增粘处理的步骤，包括：

在温度为50℃～180℃的真空环境中热烘所述半导体硅片40s～60s时间；

向所述半导体硅片的表面喷射HMDS气体，使得所述HMDS气体吸附在所述半导体硅片的表面。

4.如权利要求2所述的半导体硅片保护层制作方法，其特征在于，在所述对半导体硅片的表面进行增粘处理的步骤之后，在所述将黏度范围为5cp～80cp的光刻胶，滴涂于所述半导体硅片表面的中心的步骤之前，还进行：

对所述半导体硅片进行预湿处理。

5.如权利要求4所述的半导体硅片保护层制作方法，其特征在于，所述对所述半导体硅片进行预湿处理的步骤包括：

使得所述半导体硅片在所述低转速状态下匀速旋转；

向所述半导体硅片表面喷涂去离子水，使得所述半导体表面湿润。

6.如权利要求1所述的半导体硅片保护层制作方法，其特征在于，在所述使得所述半导体硅片在低转速状态下保持5s～15s时间，扩大所述光刻胶的覆盖面积的步骤之后，在所述通过边缘胶去除工艺，根据预定去边宽度，去除所述半导体硅片边缘位置处的光刻胶的步骤之前，还进行：

在温度为50℃～120℃的环境中，软烘50s～70s时间。

7.如权利要求1所述的半导体硅片保护层制作方法，其特征在于，在所述通过边缘胶去除工艺的步骤进行时，根据预定去边宽度，去除所述半导体硅片边缘位置处的光刻胶的步骤包括：

实时采集所述光刻胶的外缘信息；

根据所述光刻胶的外缘信息，计算实际去边宽度；

当实际去边宽度达到预定去边宽度时停止所述边缘胶去除工艺。

8.如权利要求1所述的半导体硅片保护层制作方法，其特征在于，所述低转速状态下所述半导体硅片的转速为100rpm～500rpm。

9.如权利要求1所述的半导体硅片保护层制作方法，其特征在于，所述高速旋转状态下所述半导体硅片的转速为800rpm～3000rpm。