[发明专利]非互易性相控阵天线单元、天线及控制方法在审
申请号: | 202010958875.8 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112350064A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 臧家伟 | 申请(专利权)人: | 中国信息通信研究院 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q23/00;H01Q21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 薛平;周晓飞 |
地址: | 100191 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非互易性 相控阵 天线 单元 控制 方法 | ||
1.一种非互易性相控阵天线单元,其特征在于,包括:分别印刷在介质基板两侧的顶层和底层,其中,
顶层包括馈电网络(6)和与馈电网络(6)连为一体的谐振贴片(5),所述馈电网络(6)包括分别为设于馈电网络(6)不同位置的第一馈电点(1)、第二馈电点(2)、第三馈电点(3)和第四馈电点(4),所述馈电网络(6)用于馈入射频信号;
底层包括4个调制信号电路,每个调制信号电路包括共面波导(7),所述共面波导(7)用于馈入低频调制信号;
馈电网络(6)的每个馈电点分别与一个调制信号电路连通,每个调制信号电路的共面波导(7)馈入的低频调制信号用于加载至对应的馈电点。
2.如权利要求1所述的非互易性相控阵天线单元,其特征在于,所述谐振贴片(5)的形状为正方形。
3.如权利要求1所述的非互易性相控阵天线单元,其特征在于,所述谐振贴片(5)尺寸在0.4倍介质波长至0.6倍介质波长范围内。
4.如权利要求1所述的非互易性相控阵天线单元,其特征在于,每个馈电点与谐振贴片(5)连接处设有两个开槽。
5.如权利要求4所述的非互易性相控阵天线单元,其特征在于,所述开槽的形状为长方形。
6.如权利要求1所述的非互易性相控阵天线单元,其特征在于,所述馈电网络(6)还包括变容二极管(8)、分别与共面波导(7)和变容二极管(8)连接的电感(9)。
7.如权利要求6所述的非互易性相控阵天线单元,其特征在于,所述变容二极管(8)在工作时处于反向偏置状态。
8.如权利要求7所述的非互易性相控阵天线单元,其特征在于,所述共面波导(7)还用于馈入直流偏置电压;
处于反向偏置状态的变容二极管(8)的电容值由直流偏置电压的数值确定。
9.如权利要求1所述的非互易性相控阵天线单元,其特征在于,馈电网络(6)的每个馈电点经由金属化过孔分别与一个调制信号电路连通。
10.一种非互易性相控阵天线,其特征在于,包括多个权利要求1至9任一项所述的非互易性相控阵天线单元。
11.一种非互易性相控阵天线的控制方法,其特征在于,用于控制权利要求10所述的非互易性相控阵天线,包括:
对所述天线中的每个天线单元,在第一馈电点(1)处加载频率为fm和相位为α1的低频调制信号,在第二馈电点(2)处加载频率为fm和相位为α2的低频调制信号,在第三馈电点(3)处加载频率为fm和相位为α1+180°的低频调制信号,在第四馈电点(4)处加载频率为fm和相位为α2+180°的低频调制信号,在馈电网路(6)馈入频率为f0的射频信号;控制α1和α2,实现极化的非互易性;
对所述天线中的第i个天线单元,在第一馈电点(1)处加载频率为fm和相位为α1+βi的低频调制信号,在第二馈电点(2)处加载频率为fm和相位为α2+βi的低频调制信号,在第三馈电点(3)处加载频率为fm和相位为α1+180°+βi的低频调制信号,在第四馈电点(4)处加载频率为fm和相位为α2+180°+βi的低频调制信号,在馈电网路(6)馈入频率为f0和相位为γi的射频信号;控制βi和γi,实现方向图的非互易性。
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