[发明专利]一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202010959080.9 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112126902A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 大岩一彦;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 | 申请（专利权）人： | 浙江最成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;B22F1/00;B22F3/14;B22F3/24 |
| 代理公司： | 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) 33264 | 代理人： | 李鑫 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 高纯 钨靶材 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体用高纯钨靶材，其特征在于：该钨靶材纯度为99.999％以上，相对密度为99％以上，含有非金属元素杂质氧、碳、氮和硫总量为50ppm及以下。
2.根据权利要求1所述的一种半导体用高纯钨靶材，其特征在于：所述的钨靶材中含有非金属元素杂质氧、碳、氮和硫总量为30ppm。
3.根据权利要求1所述的一种半导体用高纯钨靶材，其特征在于：所述的钨靶材中氧和碳总量小于20ppm。
4.一种权利要求1所述的半导体用高纯钨靶材的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)将纯度达到99.999％以上、粒度为3.2-4.2μm的钨粉进行均匀混合；
(2)将均匀处理后的钨粉置于真空热处理炉中，在真空5×10-2Pa的压力下，于1000℃保持2-4小时进行脱气，然后导入氢气，在真空10-1000Pa的压力下继续加热1-5小时，进行脱气；
(3)将脱气后的钨粉通过真空热压，在真空5×10-2Pa、1600-1900℃且加压力400-600kg/cm2的条件下处理120-480min，完成一次烧结；
(4)将一次烧结后的钨板通过热压加压装置，在1800-2000℃且压力140-200MPa下，保持时间120-480min，完成二次烧结；
(5)将二次烧结后的钨板通过机械加工将整个表面进行磨削处理，得到纯度为99.999％及以上且密度为99％及以上的半导体用高纯钨靶材。
5.根据权利要求4所述的一种半导体用高纯钨靶材的制备方法，其特征在于：步骤(3)真空热压过程中碳冲孔与钨原料粉末之间保持一定空隙。
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