[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010959119.7 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112038887A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 曾评伟;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/34;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王文宾 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：衬底以及依次形成于所述衬底上的第一分布式布拉格反射层、第一有源层、穿隧层、第二有源层以及第二分布式布拉格反射层，所述衬底背离所述第一分布式布拉格反射层的一侧形成有第一电极，所述第二分布式布拉格反射层背离所述第二有源层的一侧形成有第二电极。
2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层采用不同能隙材料。
3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层均为多量子阱层。
4.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二分布式布拉格反射层与所述第二有源层之间形成有限制层，所述限制层形成有出光孔。
5.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二分布式布拉格反射层与所述第二电极之间形成有接触层。
6.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二电极形成有出光孔。
7.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射层为N型掺杂，所述第二分布式布拉格反射层为P型掺杂。
8.如权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述限制层采用氧化铝材料。
9.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射层以及所述第二分布式布拉格反射层均采用铝砷化镓和砷化镓构成。
10.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上依序形成第一分布式布拉格反射层、第一有源层、穿隧层、第二有源层以及第二分布式布拉格反射层；
分别形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述衬底背离所述第一分布式布拉格反射层的一侧，所述第二电极位于所述第二分布式布拉格反射层背离所述第二有源层的一侧。
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