[发明专利]功率器件、包括其的系统以及用于制造和控制其的方法在审
申请号: | 202010959239.7 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112490264A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | A·P·布拉曼蒂;A·帕加尼;A·桑坦格罗 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L27/02;H01L43/04;H01L43/06;G01R15/20;G01R19/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 器件 包括 系统 以及 用于 制造 控制 方法 | ||
1.一种功率器件,包括:
至少一个第一导电元件,被配置为当被电流流过时生成磁场;以及
霍尔传感器,与所述至少一个第一导电元件电绝缘,
其中所述霍尔传感器和所述至少一个第一导电元件被布置为使得所述霍尔传感器能够检测所述磁场,并且所述磁场指示流过所述至少一个第一导电元件的所述电流。
2.根据权利要求1所述的功率器件,还包括:
晶体管,包括:
半导体主体;
源极端子;
漏极端子;
栅极端子,所述源极端子、所述漏极端子、和所述栅极端子被电耦合到所述半导体主体,从而当被偏置时,电流在所述半导体主体中在所述漏极端子和所述源极端子之间流动;
绝缘区域,在所述半导体主体上;
多个源极指状件,在所述绝缘区域上并被电耦合到所述源极端子,所述多个源极指状件中的每个源极指状件具有主延伸方向平行于第一轴的矩形形状;
多个漏极指状件,在所述绝缘区域上并被电耦合到所述漏极端子,所述多个漏极指状件中的每个漏极指状件具有主延伸方向平行于所述第一轴的矩形形状;
源极总线,在所述绝缘区域上并被电耦合到所述多个源极指状件,所述源极总线被配置为将所述源极端子偏置;以及
漏极总线,在所述绝缘区域上并被电耦合到所述多个漏极指状件,所述漏极总线被配置为将所述漏极端子偏置,
其中所述多个源极指状件中的至少一个源极指状件被定位在所述多个漏极指状件中的两个漏极指状件之间,
其中沿与所述第一轴垂直的第二轴,所述多个源极指状件中的每个源极指状件面向所述多个漏极指状件中的相应漏极指状件并与其电绝缘,并且
其中所述至少一个第一导电元件是以下各项之一:所述源极总线、所述漏极总线、所述多个源极指状件中的源极指状件、或所述多个漏极指状件中的漏极指状件。
3.根据权利要求2所述的功率器件,
其中所述多个漏极指状件中的每个漏极指状件在平面视图中具有矩形形状,并且包括:
第一主侧和第二主侧,平行于所述第一轴延伸;以及
第一副侧和第二副侧,平行于所述第二轴延伸,
其中所述多个源极指状件中的每个源极指状件在平面视图中具有矩形形状,并且包括:
第一主侧和第二主侧,平行于所述第一轴延伸;以及
第一副侧和第二副侧,平行于所述第二轴延伸,并且
其中所述多个源极指状件中的每个源极指状件的所述第一副侧被电连接到所述源极总线,并且所述多个漏极指状件中的每个漏极指状件的所述第一副侧被电连接到所述漏极总线。
4.根据权利要求3所述的功率器件,还包括:
绝缘层,其中所述霍尔传感器包括在由所述第一轴和所述第二轴限定的平面中延伸的、具有带有质心的十字形的导电区域,所述导电区域被形成在所述半导体主体中或所述半导体主体上,并且所述导电区域通过所述绝缘层与所述半导体主体电绝缘。
5.根据权利要求4所述的功率器件,其中
所述半导体主体包括至少一个异质结构,所述至少一个异质结构被配置为形成二维电子气区域,并且
所述晶体管是包括所述异质结构的第一部分的高电子迁移率场效应晶体管,或者所述导电区域包括所述异质结构的、与所述第一部分电绝缘的第二部分。
6.根据权利要求4所述的功率器件,其中
所述至少一个第一导电元件是从所述多个漏极指状件之中选择的漏极指状件,
所述霍尔传感器被布置为使得在所述质心与从所述多个漏极指状件之中选择的所述漏极指状件的所述第一主侧或所述第二主侧中的至少一个主侧之间存在最小距离,并且
所述最小距离比所述质心与所述多个漏极指状件中的其余漏极指状件的所述第一主侧和所述第二主侧中的每个主侧之间的任何其他距离短。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的