[发明专利]晶片的处理方法和芯片测量装置在审
申请号: | 202010959310.1 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112530866A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 森俊;小林真;梅原冲人;田村一成 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 处理 方法 芯片 测量 装置 | ||
1.一种晶片的处理方法,该晶片在正面的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内分别形成有器件,其中,
该晶片的处理方法包含如下的步骤:
晶片单元形成步骤,将带粘贴在晶片的背面上并且将该带的外周安装于环状框架,形成具有该晶片、该带以及该环状框架的晶片单元;
分割步骤,在实施该晶片单元形成步骤之前或之后,将该晶片沿着该分割预定线分割而形成多个器件芯片;
拾取步骤,在实施了该分割步骤和该晶片单元形成步骤之后,从该晶片单元拾取该器件芯片;以及
测量步骤,对通过该拾取步骤而拾取的该器件芯片进行测量,
在实施该拾取步骤之前,实施如下的判别步骤:对该器件的特性分别进行检查而判别出良好器件和不良器件,并存储判别结果,
在该测量步骤中,根据该判别结果,在通过该拾取步骤而拾取的该器件芯片包含不良器件的情况下,将该器件芯片破坏而测量抗弯强度,在通过该拾取步骤而拾取的该器件芯片包含良好器件的情况下,对该器件芯片的崩边、背面粗糙度以及侧面粗糙度中的任意一个或多个进行测量。
2.根据权利要求1所述的晶片的处理方法,其中,
该晶片的处理方法还包含如下的收纳步骤:在实施了该测量步骤之后,在通过该拾取步骤而拾取的该器件芯片包含良好器件的情况下,将该器件芯片收纳于芯片收纳件。
3.一种芯片测量装置,其具有:
控制器,其参照作为检查对象的器件芯片为良好器件或不良器件的属性信息;
强度测量机构,其用于当该控制器识别出该器件芯片为不良器件的属性信息时将该器件芯片破坏而测量抗弯强度;以及
芯片观察机构,其用于当该控制器识别出该器件芯片为良好器件的属性信息时对崩边、背面粗糙度以及侧面粗糙度中的任意一个或多个进行测量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造