[发明专利]可测试及微转移的微元件及其制作、测试和转移方法、显示装置

权利要求书

1.一种可测试及微转移的微元件，其特征在于，包括：

支撑衬底；

键合层，所述键合层位于所述支撑衬底的表面；

发光结构，所述发光结构包括倒挂于支撑衬底且通过沟槽相互隔离的若干个LED芯粒，所述键合层设置于所述支撑衬底的表面并嵌入所述沟槽形成支撑柱，且所述键合层与各所述LED芯粒具有空气间隙；各所述LED芯粒包括外延层、覆盖外延层裸露区域的保护层及位于所述外延层朝向所述支撑衬底一侧的第一电极和第二电极；第一电极和所述第二电极分别通过所述LED芯粒的侧壁延伸至与所述沟槽对应的键合层表面，使其裸露于所述沟槽上方，且，任意一LED芯粒的第一电极和第二电极分别与相邻的LED芯粒的第二电极和第一电极在对应的沟槽底部彼此远离设置；同一水平方向或垂直方向的各所述第一电极相互连接形成第一电极引线；同一水平方向或垂直方向的各所述第二电极相互连接形成第二电极引线；

第一测试电极，所述第一测试电极裸露于所述微元件的一侧边缘，并用于连接所有所述第一电极引线；

第二测试电极，所述第二测试电极裸露于所述微元件的另一侧边缘，并用于连接所有所述第二电极引线。

2.根据权利要求1所述的可测试及微转移的微元件，其特征在于，所述外延层至少包括在所述临时衬底朝向所述支撑衬底的一侧表面依次堆叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面设有一透明导电层，所述第二电极层叠于所述透明导电层的部分表面；所述第一电极层叠于所述第一型半导体层的局部区域。

3.根据权利要求1所述的可测试及微转移的微元件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极包括反射电极。

4.根据权利要求1或2或3所述的可测试及微转移的微元件，其特征在于，所述保护层包括腐蚀截止层。

5.一种可测试及微转移的微元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：

S01、提供一临时衬底；

S02、生长外延层，所述外延层包括沿所述临时衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；

S03、在所述第二型半导体层的表面设置若干个第一电极制作区域；并通过蚀刻所述外延层，使部分所述第一型半导体层裸露，从而形成若干个第二电极制作区域；所述第二电极制作区域与所述第一电极制作区域对位设置；

S04、通过蚀刻部分所述外延层产生若干个沟槽，从而形成若干个间隔排布的LED芯粒；

S05、在各所述外延层的裸露区域沉积一保护层，所述保护层层叠于除第二电极制作区域和第一电极制作区域之外的外延层表面，并延伸至各所述外延层的侧壁与所述临时衬底承接；

S06、同步制作第一电极、第二电极、第一测试电极及第二测试电极；分别在各所述第二电极制作区域和第一电极制作区域制作第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别通过所述LED芯粒的侧壁延伸至邻近的沟槽底部，且，任意一LED芯粒的第一电极和第二电极分别与相邻的LED芯粒的第二电极和第一电极在对应的沟槽底部彼此远离设置，形成微转移工艺的锚部；同一水平方向或垂直方向的各所述第一电极相互连接形成第一电极引线；同一水平方向或垂直方向的各所述第二电极相互连接形成第二电极引线；

同时，在所述微元件的一侧边缘制作第一测试电极，所述第一测试电极连接所有所述第一电极引线；在所述微元件的另一侧边缘制作第二测试电极，所述第二测试电极连接所有所述第二电极引线；

S07、制作一牺牲层，所述牺牲层沉积于各所述LED芯粒的表面及各所述沟槽的侧壁；

S08、制作一键合层，所述键合层覆盖所述牺牲层，并嵌入各所述沟槽与所述临时衬底形成连接；

S09、提供一支撑衬底，将各所述LED芯粒倒装键合至所述支撑衬底；

S10、剥离所述临时衬底；

S11、将经上述步骤完成后的微元件放置于腐蚀溶液内，通过腐蚀溶液对所述牺牲层进行蚀刻去除，从而使各所述LED芯粒架空设置于所述支撑衬底上。

6.根据权利要求5所述的可测试及微转移的微元件的制作方法，其特征在于，所述保护层包括腐蚀截止层。