[发明专利]一种显示面板、制备方法及显示装置在审
申请号: | 202010959570.9 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112038383A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 李士佩;赵影;徐胜;何伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77;B82Y10/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 姚楠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
设置于所述衬底基板第一侧的多个像素驱动电路;
设置于所述衬底基板与所述第一侧相对的第二侧的多个阳极、像素界定层和发光功能层,所述像素界定层包括多个开口;
其中,各个所述阳极通过贯穿所述衬底基板的过孔与相应的所述像素驱动电路电连接,所述过孔在所述衬底基板的正投影完全落入对应的所述阳极在所述衬底基板的正投影的区域范围内,且至少部分所述过孔位于所述开口所在的区域内。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,全部所述过孔位于所述开口所在的区域内。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,各个所述阳极同层制备。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个亚像素,各个所述亚像素包括阵列排布的多个子像素,所述多个子像素对应所述发光功能层的同种颜色,且各个所述子像素的所述阳极通过所述过孔与相应的所述像素驱动电路电连接。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,相邻两所述亚像素之间间隔第一预设距离值,同一所述亚像素中相邻两所述子像素的所述阳极之间间隔小于所述第一预设距离值的第二预设距离值。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二预设距离值小于0.001微米。
7.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括在所述发光功能层背离所述衬底基板的一侧依次设置的阴极层、封装层和透镜层。
8.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
9.一种如权利要求1-7任一项所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
通过TGV技术在所述衬底基板上开设多个所述过孔;
在所述衬底基板的所述第一侧形成所述多个像素驱动电路;
在所述衬底基板的所述第二侧形成一整层电极层;
利用纳米压印技术和光刻技术对所述电极层进行处理,形成所述多个阳极;
利用光刻技术在所述多个阳极背离所述衬底基板的一侧形成包括所述多个开口的所述像素界定层;
利用光刻技术在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧形成所述发光功能层。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述利用纳米压印技术和光刻技术对所述电极层进行处理,形成所述多个阳极,包括:
利用纳米压印技术对所述电极层进行处理,控制对应所述发光功能层同种颜色的多个子像素中相邻两子像素的所述阳极之间间隔第二预设距离值;
利用所述光刻技术对处理后的所述电极层进行处理,控制多个亚像素中相邻两所述亚像素之间间隔大于所述第二预设距离值的第一预设距离值,其中,各个所述亚像素包括阵列排布的所述多个子像素。
11.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,在所述利用光刻技术在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧形成所述发光功能层之后,所述方法还包括:
在所述发光功能层背离所述衬底基板的一侧依次形成阴极层、封装层和透镜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的