[发明专利]增强手性分子探测的微纳结构及微纳系统在审
申请号: | 202010962806.4 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112082953A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山科立特光电科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/19 | 分类号: | G01N21/19;G01N21/21 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 增强 手性 分子 探测 结构 系统 | ||
1.一种增强手性分子探测的微纳结构,其特征在于,所述微纳结构包括:基底、第一介质圆盘、第二介质圆盘和第三介质圆盘;所述第三介质圆盘均设置在所述基底的一侧,所述第一介质圆盘和所述第二介质圆盘设置在所述第三介质圆盘远离所述基底的一侧,所述第三介质圆盘远离所述基底的一侧挖设有空腔,所述空腔的形状为两个圆形腔体组成的“8”字形结构,两个所述圆形腔体的直径相同,且两个所述圆形腔体圆心的连接线经过所述第三介质圆盘的圆心,所述第一介质圆盘和所述第二介质圆盘的外径与两个所述圆形腔体的内径相切,且所述所述第一介质圆盘和所述第二介质圆盘的外壁上周期镶嵌有多个金属颗粒。
2.根据权利要求1所述的增强手性分子探测的微纳结构,其特征在于,所述第一介质圆盘、所述第二介质圆盘和所述第三介质圆盘远离所述基底的一侧的水平高度不同。
3.根据权利要求2所述的增强手性分子探测的微纳结构,其特征在于,所述第一介质圆盘和所述第二介质圆盘分别到所述基底的距离小于所述第三介质圆盘到所述基底的距离。
4.根据权利要求1所述的增强手性分子探测的微纳结构,其特征在于,所述所述第一介质圆盘和所述第二介质圆盘的外壁上镶嵌的金属颗粒的形状为圆形、椭圆形和锥形中至少一种。
5.根据权利要求4所述的增强手性分子探测的微纳结构,其特征在于,所述金属颗粒突出所述第一介质圆盘和所述第二介质圆盘的外壁的距离为20nm-70nm。
6.根据权利要求1所述的增强手性分子探测的微纳结构,其特征在于,所述第一介质圆盘、所述第二介质圆盘和所述第三介质圆盘的材料为高折射率材料。
7.根据权利要求6所述的增强手性分子探测的微纳结构,其特征在于,所述第一介质圆盘、所述第二介质圆盘和所述第三介质圆盘的材料为硅。
8.根据权利要求1所述的增强手性分子探测的微纳结构,其特征在于,所述第一介质圆盘和第二介质圆盘的半径为50nm-80nm。
9.一种增强手性分子探测的微纳系统,其特征在于,所述微纳系统包括:电场检测装置、磁场检测装置和权利要求1-8任意一项所述的微纳结构,所述电场检测装置用于检测所述第一介质圆盘、所述第二介质圆盘上的电偶极子的方向,所述磁场检测装置用于检测所述第一介质圆盘、所述第二介质圆盘上的磁偶极子的方向。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山科立特光电科技有限公司,未经中山科立特光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010962806.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于超表面结构的低剖面滤波天线
- 下一篇:生物分子的探测装置及探测系统