[发明专利]一种薄膜沉积系统及镀膜方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积系统，其特征在于，包括：

具有真空腔(11)的真空室(1)；

设置在所述真空腔(11)内的溅射源(2)，所述溅射源(2)包括溅射口；

设置在所述真空腔(11)内的电子束蒸发源(3)，所述电子束蒸发源(3)包括喷射口；

固定架(4)，所述固定架(4)活动设置在所述真空腔(11)上，所述固定架(4)上设置有用于固定芯片的安装区；所述溅射源(2)与所述电子束蒸发源(3)错开设置；

以及动作机构(5)，所述动作机构(5)用于驱动所述固定架(4)在第一位置和第二位置之间切换；

当所述固定架(4)处于所述第一位置，所述溅射源(2)的所述溅射口对准所述固定架(4)上的芯片；当所述固定架(4)处于所述第二位置，所述电子束蒸发源(3)的所述喷射口对准所述固定架(4)上的芯片。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于：所述溅射源(2)与所述固定架(4)的所述安装区的距离小于所述电子束蒸发源(3)与所述固定架(4)的所述安装区的距离。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积系统包括设置在所述真空腔(11)内的感应探头(6)，所述感应探头(6)能够检测所述固定架(4)上的芯片的镀膜厚度。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积系统包括真空泵，所述真空泵与所述真空腔(11)连通。

5.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积系统包括设置在所述真空腔(11)内的离子辅助源(7)，所述离子辅助源(7)用于对所述固定架(4)上的芯片进行离子预清洗。

6.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述溅射源(2)为磁控溅射源、离子束溅射源或者电子回旋共振反应溅射源。

7.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积系统包括第一冷却水路(81)，所述第一冷却水路(81)的一端通入所述电子束蒸发源(3)，所述第一冷却水路(81)的另一端延伸至所述真空室(1)的外部。

8.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积系统包括第二冷却水路(82)以及反应气路(83)；

所述第二冷却水路(82)的一端通入所述溅射源(2)，所述第二冷却水路(82)的另一端延伸至所述真空室(1)的外部；所述反应气路(83)的一端通入所述溅射源(2)，所述反应气路(83)的另一端延伸至所述真空室(1)的外部。

9.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述固定架(4)包括转轴(41)以及旋转盘(42)，所述转轴(41)的一端可转动地设置在所述真空室(1)的顶部壁面上，所述转轴(41)的另一端与所述旋转盘(42)固定连接；所述安装区设置在所述旋转盘(42)靠近所述溅射源(2)和电子束蒸发源(3)的盘面上；

所述动作机构(5)为电机，所述动作机构(5)驱动所述转轴(41)绕自身轴线进行转动；

所述动作机构(5)驱动所述转轴(41)转动以实现所述旋转盘(42)在所述第一位置与所述第二位置之间切换。

10.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积系统包括控制系统，所述控制系统与所述溅射源(2)、所述电子束蒸发源(3)以及所述动作机构(5)电气连接。

11.一种应用如权利要求1所述的薄膜沉积系统进行镀膜的镀膜方法，其特征在于，包括：

通过所述动作机构(5)驱动所述固定架(4)运动至所述第一位置；

通过所述溅射源(2)对待镀膜的芯片进行离子轰击获得第一镀膜层；

通过所述动作机构(5)驱动所述固定架(4)运动至所述第二位置；

通过所述电子束蒸发源(3)在待镀膜的芯片上的第一镀膜层上进行快速沉积以形成第二镀膜层。