[发明专利]磁随机存取存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 202010963307.7 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114188474A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王能语 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
1.一种磁随机存取存储器，其特征在于，包括
衬底；
位于所述衬底上的第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口，所述第一开口包括第一区以及位于所述第一区上的第二区；
位于所述第一区内的第一导电结构；
位于所述第二区内的第二导电结构，所述第二导电结构的材料与所述第一导电结构的材料不同；
位于所述第一介质层和所述第二导电结构上的磁性隧道结；
位于所述磁性隧道结上的顶部电极。
2.如权利要求1所述磁随机存取存储器，其特征在于，所述第二导电结构的材料硬度大于所述第一导电结构的材料硬度。
3.如权利要求2所述磁随机存取存储器，其特征在于，所述第一导电结构的材料包括铜或钴。
4.如权利要求2所述磁随机存取存储器，其特征在于，所述第二导电结构的材料包括：钽、氮化钽、钛或氮化钛。
5.如权利要求1所述磁随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述第一开口的侧壁和顶部表面的阻挡层，所述第一导电结构和所述第二导电结构分别位于所述阻挡层上。
6.如权利要求5所述磁随机存取存储器，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：钽、氮化钽、钛或氮化钛。
7.如权利要求1所述磁随机存取存储器，其特征在于，所述第一开口的第二区的深宽比为0.5：1～1.5：1。
8.如权利要求1所述磁随机存取存储器，其特征在于，所述第一介质层的部分顶部表面低于第二导电结构的顶部表面。
9.如权利要求1所述磁随机存取存储器，其特征在于，所述磁性隧道结包括：缓冲层；位于缓冲层上的固定层；位于固定层上的绝缘层；位于绝缘层上的自由层；位于自由层上的覆盖层。
10.如权利要求1所述磁随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述磁性隧道结侧壁表面、所述顶部电极顶部表面和侧壁表面的停止层。
11.如权利要求10所述磁随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述停止层表面的隔离结构；位于所述隔离结构内的导电插塞，所述导电插塞与所述顶部电极接触。
12.如权利要求1所述磁随机存取存储器，其特征在于，所述衬底包括：基底和位于所述基底上的器件层；所述器件层包括器件结构和包围所述器件结构的第二介质层，所述器件结构包括晶体管、电阻、电感、电容或者导电结构；所述第一导电结构与所述器件结构电连接。
13.一种磁随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口，所述第一开口包括第一区以及位于所述第一区上的第二区；
在所述第一区内形成第一导电结构；
在所述第二区内形成第二导电结构，所述第二导电结构的材料与所述第一导电结构的材料不同；
在所述第一介质层和所述第二导电结构上形成磁性隧道结；
在所述磁性隧道结上形成顶部电极。
14.如权利要求13所述磁随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构的材料硬度大于所述第一导电结构的材料硬度。
15.如权利要求14所述磁随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一导电结构的材料包括铜或钴。
16.如权利要求14所述磁随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构的材料包括：钽、氮化钽、钛或氮化钛。
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