[发明专利]用于电池保护的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一元胞区，所述第一元胞区形成有第一场效应晶体管；

第二元胞区，所述第二元胞区形成有第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管作为第一开关，所述第一开关用于控制所述第一场效应晶体管的源极与衬底之间的连通与断开；以及

第三元胞区，所述第三元胞区形成有第二开关，所述第二开关用于控制所述第一场效应晶体管的栅极与漏极之间的连通与断开；

其中，第一元胞区、第二元胞区以及第三元胞区依次形成，第二元胞区形成在所述第一元胞区与所述第三元胞区之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述第一元胞区中形成第一寄生二极管和第二寄生二极管，所述第一寄生二极管和所述第二寄生二极管构成反向串联结构，所述第一寄生二极管及所述第二寄生二极管形成在源极区与漏极区之间，第一元胞区中形成的所述第一寄生二极管以及第二寄生二极管的衔接区域至少形成在衬底电极区上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述第二元胞区形成的所述第二场效应晶体管具有第四寄生二极管(D4)，所述第四寄生二极管形成在所述第二场效应晶体管的源极区与衬底电极区之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三元胞区包括栅极区以及漏极区，在所述第三元胞区的漏极区与栅极区之间形成第三寄生二极管和电阻，所述第三寄生二极管和所述电阻构成串联结构。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一元胞区、所述第二元胞区以及所述第三元胞区共用衬底。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管；

所述第一元胞区包括源极区、衬底电极区、栅极区以及漏极区，所述衬底电极区包括第一衬底电极区和第二衬底电极区；所述第一元胞区包括P型衬底以及介质层，所述P型衬底与所述介质层之间至少形成N型漂移区，所述N型漂移区中形成有P型阱区，所述P型阱区中至少形成第一P型高掺杂区，所述P型衬底中形成第二P型高掺杂区，所述第一衬底电极区形成在所述介质层中，所述第一衬底电极区与所述第一P型高掺杂区接触，所述第二衬底电极区形成在所述介质层上，所述第二衬底电极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二P型高掺杂区接触，所述P型阱区与所述P型衬底通过所述N型漂移区间隔，所述P型阱区中形成有N型阱区，所述N型阱区中形成有第一N型高掺杂区，所述第一N型高掺杂区与所述P型阱区通过所述N型阱区间隔，所述N型漂移区中形成有第二N型高掺杂区，所述源极区形成在所述介质层上，所述源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第一N型高掺杂区接触，所述漏极区形成在所述介质层上，所述漏极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触，所述栅极区形成在所述介质层中。