[发明专利]钴配位化合物分子插层多层石墨烯纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010963946.3 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112010294B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李卫;杨喜昆 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/192 | 分类号： | C01B32/192;C01B32/194 |
| 代理公司： | 昆明同聚专利代理有限公司 53214 | 代理人： | 苏芸芸 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钴配位 化合物 分子 多层 石墨 纳米 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钴配位化合物分子插层多层石墨烯纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：
（1）将氧化石墨置于去离子水中，超声剥离3~5h制得浓度1~5mg/mL的氧化石墨烯悬浮液，将悬浮液在室温、避光条件下放置30~100天，形成带负电荷的单层氧化石墨烯溶胶；
（2）按钴配位化合物分子溶液与氧化石墨烯悬浮液的体积比为1:1~1:20的比例，将钴配位化合物分子溶液与氧化石墨烯悬浮液混合，将絮状混合物置于20~50℃下搅拌6~24h，其中钴配位化合物分子溶液中钴离子浓度为0.1~1.5mg/mL；
（3）将步骤（2）混合物置于高压釜中，在120~200℃下保温6~24h后，冷却至室温，取出反应产物用去离子水冲洗、干燥即得钴配位化合物分子插层多层石墨烯纳米材料；
所述钴配位化合物分子为水溶性的二价钴配位化合物Co(NH3)4(OH)2或三价钴配位化合物Co(NH3)6Cl3。
2.根据权利要求1所述的钴配位化合物分子插层多层石墨烯纳米材料的制备方法，其特征在于：氧化石墨是使用Hummers法将石墨、导电碳黑、碳纳米管、纳米多孔碳中的一种氧化后获得的，其中碳纳米管为管径10～100nm的单壁或多壁的碳纳米管。
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