[发明专利]电吸收调制激光器及其制作方法在审
申请号: | 202010964555.3 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112072461A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 梁松;剌晓波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/10 | 分类号: | H01S5/10;H01S5/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘歌 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸收 调制 激光器 及其 制作方法 | ||
1.一种电吸收调制激光器,包括:
衬底;以及
在所述衬底上依次生长的下脊波导层、中间层和上脊波导层;
其中,所述中间层包括顺次连接的激光器有源材料区、隔离区无源材料区、调制器有源材料区和模斑转换器无源材料区,所述隔离区无源材料区和所述模斑转换器无源材料区的带隙波长均同时小于所述激光器有源材料区和所述调制器有源材料区的带隙波长。
2.根据权利要求1所述的激光器,其中,所述隔离区无源材料区和所述模斑转换器无源材料区具有相同的波导核心材料。
3.根据权利要求1所述的激光器,其中,所述上脊波导层包括:
具有渐变波导宽度的模斑转换器脊波导,设置于所述模斑转换器无源材料区之上,所述模斑转换器脊波导的渐变波导宽度为由第一波导宽度减小至第二波导宽度,具有所述第二波导宽度的端面为激光器发光端面。
4.根据权利要求3所述的激光器,其中,所述上脊波导层还包括:
具有所述第一波导宽度的有源器件区脊波导,设置于所述激光器有源材料区、所述隔离区无源材料区和所述调制器有源材料区之上,并与所述模斑转换器脊波导的具有所述第一波导宽度的端面相连接。
5.根据权利要求1所述的激光器,其中,所述上脊波导层的宽度小于所述下脊波导层的宽度。
6.根据权利要求1所述的激光器,其中,所述激光器有源材料区自所述下脊波导层至上依次包括下限制层、量子阱层、上限制层和光栅层。
7.根据权利要求1所述的激光器,其中,所述调制器有源材料区自所述下脊波导层至上依次包括下限制层、量子阱层和上限制层。
8.一种电吸收调制激光器的制作方法,包括:
在衬底上依次生长缓冲层、远场缩减层、间隔层和激光器有源材料层;
在所述激光器有源材料层中确定激光器有源材料区,并将除所述激光器有源材料区之外的所述激光器有源材料层进行腐蚀,以得到所述激光器有源材料区;
基于所述激光器有源材料区在所述激光器有源材料层的已腐蚀区域对接生长调制器有源材料层;
在所述调制器有源材料层中确定调制器区,并将除所述调制器区之外的所述调制器有源材料层进行腐蚀,以得到所述调制器有源材料区;
基于所述调制器有源材料区和所述激光器有源材料区在所述调制器有源材料层的已腐蚀区域对接生长无源波导材料,得到隔离区无源材料区和模斑转换器无源材料区;
在所述激光器有源材料区内制作光栅;
在所述激光器有源材料区、所述隔离区无源材料区、所述调制器有源材料区和所述模斑转换器无源材料区上生长包层和接触层;
根据所述包层和所述接触层制作上脊波导;以及
根据模斑转换器无源材料区中的部分所述无源波导材料,以及所述模斑转换器无源材料区下的所述间隔层、所述远场缩减层和部分的所述缓冲层制作下脊波导。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其中,根据所述包层和所述接触层制作上脊波导还包括:
在所述激光器有源材料区、所述隔离区无源材料区和所述调制器有源材料区上制作具有第一波导宽度的有源器件区脊波导;
在所述模斑转换器无源材料区上制作具有渐变波导宽度的模斑转换器脊波导,其中,所述模斑转换器脊波导的渐变波导宽度为由所述第一波导宽度减小至第二波导宽度,且所述模斑转换器脊波导的具有所述第一波导宽度的端面与所述有源器件区脊波导相连接;以及
将所述有源器件区脊波导和所述模斑转换器脊波导作为所述上脊波导。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其中,所述制作下脊波导还包括:
根据部分的所述激光器有源材料层、部分的所述调制器有源材料层、部分的所述无源波导材料、所述间隔层、所述远场缩减层和部分的所述缓冲层制作下脊波导。
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