[发明专利]气化装置、衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质

权利要求书

1.气化装置，其具有：

原料容器，其贮存液体原料；

第1加热部，其浸渍于贮存在所述原料容器的所述液体原料中、对所述液体原料进行加热；

第2加热部，其对所述原料容器进行加热；

第1温度传感器，其浸渍于贮存在所述原料容器的所述液体原料中、对所述液体原料的温度进行测定；

第2温度传感器，其浸渍于贮存在所述原料容器的所述液体原料中、对所述液体原料的温度进行测定；和

控制部，其构成为基于由所述第1温度传感器测定的温度对所述第1加热部进行控制，并且基于由所述第2温度传感器测定的温度对所述第2加热部进行控制。

2.根据权利要求1所述的气化装置，其中，所述控制部构成为对所述第1加热部进行控制以使得由所述第1温度传感器测定的温度成为规定的第1温度，并且对所述第2加热部进行控制以使得由所述第2温度传感器测定的温度成为规定的第2温度。

3.根据权利要求2所述的气化装置，其中，所述第1温度与所述第2温度相等。

4.根据权利要求1所述的气化装置，其中，所述第1温度传感器及所述第2温度传感器以位于相同高度的方式配置在所述原料容器的底面附近。

5.根据权利要求4所述的气化装置，其中，所述第1温度传感器及所述第2温度传感器配置在比所述第1加热部低的位置。

6.根据权利要求1所述的气化装置，其中，所述第1温度传感器配置在与所述第1加热部间的距离和与所述第2加热部间的距离相等的位置。

7.根据权利要求1或6所述的气化装置，其中，所述第2温度传感器配置在与所述第1加热部间的距离和与所述第2加热部间的距离相等的位置。

8.根据权利要求1所述的气化装置，其中，所述第1温度传感器及所述第2温度传感器各自配置在相互不同的高度。

9.根据权利要求8所述的气化装置，其中，所述第1温度传感器配置在比所述第2温度传感器高的位置。

10.根据权利要求8或9所述的气化装置，其中，所述第1温度传感器配置在比所述第1加热部高的位置。

11.根据权利要求10所述的气化装置，其中，所述第2温度传感器配置在比所述第1加热部低的位置。

12.根据权利要求1所述的气化装置，其还具备对所述原料容器内的液体原料的液面的高度进行检测的液面检测传感器，

在检测到由所述液面检测传感器检测到的液面的位置变得低于设定在比所述第1温度传感器靠上方的规定的液面范围时，所述控制部使由所述第1加热部及所述第2加热部进行的加热停止。

13.根据权利要求1所述的气化装置，其还具备对所述原料容器内的液体原料的液面的高度进行检测的液面检测传感器，

在检测到由所述液面检测传感器检测到的液面的位置变得低于设定在比所述第1温度传感器靠上方的规定的液面范围时，所述控制部对输入输出装置进行控制以进行报知。

14.衬底处理装置，其具有：

处理室，其对衬底进行处理；

气化装置，其具备：贮存液体原料的原料容器，浸渍于贮存在所述原料容器的所述液体原料中、对所述液体原料进行加热的第1加热部，对所述原料容器进行加热的第2加热部，浸渍于所述液体原料中、对所述液体原料的温度进行测定的第1温度传感器，和浸渍于所述液体原料中、对所述液体原料的温度进行测定的第2温度传感器；

控制部，其构成为基于由所述第1温度传感器测定的温度对所述第1加热部进行控制，并且基于由所述第2温度传感器测定的温度对所述第2加热部进行控制；和

气体供给系统，其向所述处理室供给由所述气化装置将所述液体原料气化而得的气体。