[发明专利]基于PL测试判定太阳电池异常原因的方法

权利要求书

1.一种基于PL测试判定太阳电池异常原因的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将湿法刻蚀后的硅片经翻片风车垂直翻片，并由下料皮带水平输出，在指定道次上选取硅片，直接进行双面镀膜钝化、印刷烧结处理，形成待测硅片；

S2、对所述待测硅片进行PL测试和判定，若所述PL测试的图像中出现暗色条状区域，则根据所述暗色条状区域的方位判断其是否为翻片风车前滚轮印或湿法刻蚀下料皮带印，进而推断出相应的异常部位。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当验证湿法刻蚀的下料皮带是否存在异常时，先标记所述待测硅片与所述下料皮带的相对位置，在镀膜钝化前，旋转所述待测硅片，使其相对于镀膜钝化上下料皮带的位置异于其相对于所述下料皮带的位置。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述旋转的角度为90度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当验证所述翻片风车的前滚轮是否存在异常时，先标记所述待测硅片与所述下料皮带的相对位置，在镀膜钝化时，保持所述待测硅片相对于镀膜钝化上下料皮带的位置与其相对于所述下料皮带的位置相同。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，S1中在每个所述指定道次上选取的硅片数量不小于两片。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，S1中由所述双面镀膜钝化制得的钝化膜叠层厚度不小于75nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述双面镀膜钝化为双面氮化硅钝化、双面氧化铝氮化硅叠层钝化、正面氮化硅/背面氧化铝氮化硅叠层钝化中的任一种。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述印刷烧结的峰值温度为800±50℃，所述印刷烧结的时间为100±20s。