[发明专利]大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法在审
申请号: | 202010965699.0 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN112210825A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 于凯;陈建丽;洪颖;窦英;张皓;高飞;郭森;李晖;王利杰 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | C30B23/00 | 分类号: | C30B23/00;C30B25/00;C30B29/36 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 胡京生 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流量 气相法 晶体生长 压力 自适应 模糊 控制 方法 | ||
1.一种大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法,基于大流量气相法晶体生长炉的仪表控制系统,其包括生长腔室(1)、进气管道(2)、氩气流量计(3)、压力变送器(5)、控压仪表(6)、机械泵(8)、分子泵前级阀(9)、分子泵(10)、排气管道(11)、压力传感器(12),其特征在于:还包括上位机(4)、电控碟阀(7),上位机(4)通过通讯缆分别与氩气流量计(3)、控压仪表(6)连接,电控碟阀(7)通过排气管道分别与生长腔室(1)、排气管道与机械泵(8)连接,构成大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制系统;压力控制调节方法为上位机(4)根据压力的测量值和设定值之间的偏差及偏差的变化率的大小,按照模糊控制规则所获得的PID参数增量调节,更新控压仪表(6)中的3个PID参数,具体包括以下步骤:
一、首先开启机械泵(8),在上位机(4)中设定控压仪表(6)的目标压力为0mbar,并设定电控碟阀(7)的最小开度为99%,最大开度为100%,通过机械泵(8)和电控碟阀(7)这一条气路对生长腔室(1)进行低真空抽气操作;待系统真空降至1×10-1Pa,设定电控碟阀(7)的最小开度为0%,最大开度也为0%,即关闭电控碟阀(7)这条气路,然后开启分子泵前级阀(9),同时启动分子泵(10)开始进行高真空抽气操作,待系统真空降至1×10-3Pa时,关闭分子泵(10)和分子泵前级阀(9),最后关闭机械泵(8);
二、在上位机(4)中设定氩气流量计(3)的流量为10L/min,通过进气管道(2)进入生长腔室(1)内,待炉内充气压力至1100mbar时将流量计(3)的流量设定为0L/min;
三、在上位机(4)中设定控压仪表(6)的目标压力为10-1000mbar,再设定氩气流量计(3)的流量为0-10L/min,之后设定电控碟阀(7)的最小开度为0%,最大开度为100%,保证电控碟阀(7)能在关闭和打开的范围内连续变化,最后开启机械泵(8);
四、用e(k)和ec(k)的模糊论域的变量,计算e(k)模糊化的比例因子及ec(k)模糊化的比例因子:
根据已知误差公式e(k) =r(k)-y(k)和误差的变化率公式ec(k) =e(k)-e(k-1),其中y(k)表示当前压力变送器(5)的测量值、r(k)表示当前控压仪表(6)的设定值,其中e(k)及ec(k)的最大控制范围是[-20,20],用E和EC分别代表e(k)和ec(k)的模糊论域的变量, E及EC的最大控制范围是[-10,10],则e(k)模糊化的比例因子为变量E和e(k)的范围比值,同理ec(k)模糊化的比例因子为变量EC和和ec(k)的范围比值;
五、在上位机(4)中设定控压仪表(6)的PID控制的3个参数的最大增量调节范围:Δkp、ΔkI、Δkd均为[-10,10],根据表1[模糊控制规则]进行模糊运算公式求得表2[PID参数的增量调节表],之后根据每次采样的e(k)和ec(k)的数值,先将其转换为模糊论域内的变量数值,在表2中进行查表获得Δkp、ΔkI、Δkd的增量调节数值;
表1模糊自适应控制规则表
表2 模糊自适应PID参数调节增量表
六、获得Δkp、ΔkI、Δkd的增量调节数值之后,更新控压仪表PID的三个参数KP、KI、KD,再根据PID计算公式得到控制输出的百分比,控压仪表(6)将输出的百分比转换为0-5V的电压信号送给电控碟阀(7)调整开启比例,经过3分钟左右的调节时间,系统压力稳定在目标压力值,上下波动控制在±1mbar之内;
七、若需要改变压力控制目标值,则在上位机(4)中重新设定控压仪表(6)的目标压力,再设定氩气流量计数值,重复上面的第四和第五步骤,同样在经过3分钟左右的调节之后,系统压力稳定在新的压力目标值,上下波动同样控制在±1mbar之内。
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