[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，

所述第一晶体管和所述第二晶体管每一者均包括：(i)具有沟道区域的鳍；(ii)包括多个金属层的金属栅极电极，所述金属栅极电极覆盖所述鳍的所述沟道区域，并具有沿着所述鳍在相对方向上面对的侧壁；(iii)两个外绝缘层，所述两个外绝缘层布置在所述金属栅极电极的相对侧上，使得每一所述外绝缘层邻近各自的所述侧壁；以及(iv)两个内绝缘层，每一所述内绝缘层布置在所述外绝缘层的各者和所述金属栅极电极的相应一个所述侧壁之间，

其中，所述第一晶体管为第一导电型，所述第二晶体管为第二导电型，所述第二导电型不同于所述第一导电型，且所述第一晶体管的所述金属栅极电极的一个所述侧壁与所述两个外绝缘层中的邻近所述一个侧壁的一者之间的距离大于所述第二晶体管的所述金属栅极电极的所述侧壁与邻近所述一个侧壁的所述外绝缘层之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：邻接所述外绝缘层的层间绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管的所述内绝缘层和所述外绝缘层中的每一者由单层形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个金属层至少包括第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层包括W。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二金属层至少包含钛(Ti)、铝(Al)以及碳(C)。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二金属层包含Ti和Al的碳化物。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管的所述金属栅极电极进一步包括第三金属层，且所述第三金属层包含TiN。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一金属层为埋置金属层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述内绝缘层至少包含硅(Si)和氧(O)。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管的所述两个外绝缘层中的每一者包含多层；且所述第二晶体管的所述两个外绝缘层中的每一者包含多层。