[发明专利]光伏装置及制造方法

权利要求书

1.一种形成光伏装置的方法，包括以下步骤：

在衬底上沉积TCO层；

在所述TCO层上沉积包含CdSe的材料；

沉积包含CdTe的材料以形成前体层；

退火该前体层以形成吸收剂层，由此该CdSe材料和该CdTe材料的至少一部分相互扩散以形成CdSeTe合金；以及

在所述吸收剂层上形成背接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

吸收剂层由不同量的镉、硒和碲组成，

在整个所述吸收体层中Te原子与Se原子和Te原子之和的比率在99:100与60:100之间；以及

Se浓度在吸收体层的厚度上朝向背接触下降。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述TCO层和所述吸收体层之间形成缓冲层，其中所述缓冲层包含Mg，并且其中Se的峰值浓度位于所述缓冲层和所述吸收体层之间的界面处。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过使所述吸收体层的表面与含氯材料接触并将所述吸收体层加热至350℃至475℃范围内的温度持续90分钟或更短的时间来活化所述吸收体层，其中所述含氯材料包含CdCl₂、MnCl₂、MgCl₂、NH₄Cl、ZnCl₂或 TeCl₄中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含CdSe的材料是CdSeTe合金。

6.根据权利要求1所述的方法，其中沉积包含CdSe的材料的步骤和沉积包含CdTe的材料的步骤包括共蒸发CdSe源和CdTe源。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述退火步骤之前，在所述包含CdTe的材料与所述背接触之间沉积CdTe的第二层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在退火之前，CdSeTe层被布置在与所述TCO层相邻布置的CdSe层和布置在所述CdSeTe层上方的CdTe层之间；且由此所述CdTe层在所述退火期间基本上被消耗以形成所述CdSeTe合金。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在退火之前，第一CdSe层邻近TCO层布置，第二CdSe层布置在第一CdSe层之上，CdSeTe层布置在第一和第二CdSe层之间，并且CdTe层布置在第二CdSe层之上。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

吸收剂层由CdSe_xTe_1-x化合物组成，

x为0.01至0.40，

在整个CdSe_xTe_1-x化合物中Se原子与Se原子和Te原子总和的比率在1:100和4:10之间，

Se遍布整个吸收剂层，

吸收剂层具有在其中形成的Se浓度梯度，和

邻近TCO层的Se浓度高于邻近背接触的Se浓度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中x为0.01至0.25。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述背接触件包含ZnTe、CdZnTe或ZnTe:Cu的一个或多个层。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述吸收体层和所述背接触件之间沉积包含铜的界面层。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述背接触上沉积背金属电极，所述背金属电极包含与所述背接触相邻的MoNx层、在所述MoNx层上的铝层、以及在所述铝层上的铬层。