[发明专利]基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片

权利要求书

1.基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片，其特征在于，它包括芯片基底（1）、芯片下包层（2）、波导芯层（3）及芯片上包层（4）；

所述芯片基底（1）、芯片下包层（2）、波导芯层（3）及芯片上包层（4）依次由下而上按层设置；

所述波导芯层（3）由输入光波导（5）、光子晶体微环调制结构（6）及输出光波导（7）构成；且光子晶体微环调制结构（6）的输入端口与输入光波导（5）的输出端口连接，光子晶体微环调制结构（6）的输出端口与输出光波导（7）输入端口连接；

所述光子晶体微环调制结构（6）由单个直通波导（10）及一个闭合环形波导（9）组成，所述闭合环形波导（9）上设有内侧环及外侧环，单个直通波导（10）上设有带形区，单个直通波导（10）上带形区的中部与闭合环形波导（9）的外侧环之间形成交集的耦合区（12）；

所述芯片上包层（4）上设有调制电极正极（11）及接地电极（13）；且调制电极正极（11）连接于闭合环形波导（9）内侧，接地电极（13）连接于闭合环形波导（9）外侧。

2.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片，其特征在于，所述输入光波导（5）及输出光波导（7）为脊形光波导（8），脊形光波导（8）为平板层上设置脊高，脊高为h₁。

3.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片，其特征在于，所述单个直通波导（10）的带形区为二维线缺陷光子晶体波导结构，晶格排列为矩形或三角形。

4.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片，其特征在于，所述闭合环形波导（9）的内侧环及外侧环为二维环形谐振腔型光子晶体波导结构，晶格排列为圆形。

5.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片，其特征在于，所述芯片基底（1）的材质为铌酸锂或硅。

6.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片，其特征在于，所述芯片下包层（2）的材质为二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片，其特征在于，所述波导芯层（3）的材质为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜的厚度为H，其中：0.5μm≤H≤1μm。

8.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片，其特征在于，所述芯片上包层（4）的材质为二氧化硅或电光聚合物材料。