[发明专利]对中上料装置及纳米压印设备

说明书

本发明提出一种对中上料装置，包括：上料机构，具有可放置基底的叉状的承托部，在承托部上，与基底的接触面上设置有上料固定部，以固定基底，承托部可伸缩用于上料基底；对中定位机构，具有两个对中定位部，两个对中定位部分别位于承托部两侧，呈相对设置，且两个对中定位部可同步向承托部移动，并与基底外边相抵；旋转定位机构，其位于叉状的承托部中心，旋转定位机构具有可旋转的固定部，以及与固定部连接的伸缩部；检测机构，具有检测头，检测到基底上的缺口后，控制所述固定部停止旋转。一种纳米压印设备，采用对中上料装置。本发明能够精确定位基底的边缘和缺口，使晶圆和基底准确定位，提高压印时的准确性以及成品率，降低生产成本。

技术领域

本发明属于纳米压印技术领域，尤其涉及一种对中上料装置及纳米压印设备。

背景技术

纳米压印技术是一种新型的微纳加工技术。该技术通过机械转移的手段，达到了超高的分辨率，有望在未来取代传统光刻技术，成为微电子、材料领域的重要加工手段。纳米压印技术领域中，晶圆的定位校准一般采用两种，一种是采用光学对中定位校准器通过光学图像识别传感器的方式对晶圆边缘进行检测，根据软体设定，自动纠正晶圆位置，可以实现较高精度的中心定位，但是，其造价高昂，在应用中受限；另一种采用边缘夹持对中定位校准器通过三点或多点同时向中心移动，实现晶圆中心定位，该方式成本低廉，应用广泛，但是，当晶圆放置位置偏差较大时，可能存在其中一点或几点接触不到，导致晶圆夹持脱离定位器甚至破片的问题，并且定位夹持面只能定位晶圆的圆边从而确定晶圆的圆心，不能精确定位晶圆纳米结构的方向，不利于晶圆的准确定位和后续工作的进行。

在纳米压印时，对于满结构的硅片来说，一旦制备的软模具与基底存在偏差，基底上就会有部分结构丢失，成为废品，造成大量资源的浪费，相应生产成体随之提高。而现有的纳米压印设备普遍存在对位不够精确地问题，导致晶圆放置位置不够精确，在复制软模具的过程中，使得转印结构偏移，在压印时，基底不能对准软模具，基底上部分区域空白，转印结构不完全，造成产品良率降低，生产成本增加。因此，晶圆和基底放置定位在准确位置上显得尤为重要。

发明内容

本发明针对上述的技术问题，提出一种对中上料装置及纳米压印设备，能够精确定位基底的边缘和缺口，使晶圆和基底准确定位，提高压印时的准确性以及成品率，降低生产成本。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种对中上料装置，用于上料具有缺口的基底，包括：

上料机构，其具有可放置基底的叉状的承托部，在所述承托部上，与基底的接触面上设置有上料固定部，以固定基底，所述承托部可伸缩用于上料基底；

对中定位机构，其具有两个对中定位部，两个所述对中定位部分别位于所述承托部两侧，呈相对设置，且所述两个对中定位部可同步向所述承托部移动，并与基底外边相抵，以将基底定位至所述承托部中心；

旋转定位机构，其位于叉状的承托部中心，所述旋转定位机构具有可旋转的固定部，以及与所述固定部连接的伸缩部，所述伸缩部控制所述固定部向上或向下移动，使所述固定部与承托部上的基底相抵并固定基底；

检测机构，其具有检测头，所述检测头在所述固定部向上移动后，可移动至所述固定部上的基底位置，在固定部旋转时，检测到基底上的缺口后，控制所述固定部停止旋转。

在本发明的一些实施例中，所述承托部包括叉状的托板，以及与所述托板连接的可伸缩的上料伸缩杆。

在本发明的一些实施例中，所述上料固定部包括设置于所述承托部与基底接触面上的真空吸附槽，以及设置于所述真空吸附槽内的真空孔，所述真空孔与真空泵连接，以使所述真空吸附槽内形成负压固定基底。

在本发明的一些实施例中，所述对中定位部包括定位夹持块，以及与所述定位夹持块连接的夹持伸缩杆，所述夹持伸缩杆可伸缩，以使所述定位夹持块与基底接触。