[发明专利]一种存储器件在审
| 申请号： | 202010967831.1 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112054034A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;崔岩;罗军;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 | ||
1.一种存储器件，其特征在于，包括：
第一器件结构和第二器件结构；
所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和顶电极；
所述第二器件结构包括衬底，位于所述衬底上的鳍部，以及覆盖于所述鳍部的铁电层，所述铁电层上的栅极层，所述栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极；
所述底电极与所述源极连接，所述顶电极与所述漏极连接。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述鳍部和所述铁电层之间还形成有绝缘层。
3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述底电极与所述源极之间形成有第一开关，所述顶电极和所述漏极之间形成有第二开关。
4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述底电极与所述源极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述顶电极与所述漏极通过第二金属线或第二硅通孔连接。
5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。
6.一种存储器件，其特征在于，包括：
第一器件结构和第二器件结构；
所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和顶电极；
所述第二器件结构包括衬底，位于所述衬底上的鳍部，以及覆盖于所述鳍部的铁电层，所述铁电层上的栅极层，所述栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极；
所述底电极与所述源极连接，所述顶电极与所述漏极连接。
7.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述鳍部和所述铁电层之间还形成有绝缘层。
8.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述底电极与所述源极之间形成有第一开关，所述顶电极和所述漏极之间形成有第二开关。
9.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述底电极与所述源极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述顶电极与所述漏极通过第二金属线或第二硅通孔连接。
10.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
