[发明专利]氮化硅陶瓷材料及其制备方法与应用、防弹插板有效

专利信息
申请号: 202010967938.6 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN112194492B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 曾小锋;朱福林;肖亮;陈巨喜;李勇全 申请(专利权)人: 衡阳凯新特种材料科技有限公司
主分类号: C04B35/596 分类号: C04B35/596;C04B35/593;C04B35/81;C04B35/622;F41H5/02
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 隆前进
地址: 421001 湖南省衡*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 氮化 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用 防弹 插板
【权利要求书】:

1.一种氮化硅陶瓷材料,其特征在于,按照质量百分数计,所述氮化硅陶瓷材料的原料包括以下组分:氮化硅粉体80wt%~90wt%、碳单质1wt%~6wt%、三氧化二硼粉体1wt%~10wt%、氮化物晶须及碳化物晶须两者总量1wt%~10wt%、稀土氧化物1wt%~10wt%及粘结剂1wt%~6wt%;

其中,所述氮化物晶须的长径比为(5~20):1;所述碳化物晶须的长径比为(50~100):1;

所述氮化物晶须和所述碳化物晶须的质量比为1:(1~3)。

2.如权利要求1所述的氮化硅陶瓷材料,其特征在于,所述单质碳选自石墨粉、木炭粉、焦粉炭、活性炭粉及炭黑中的至少一种。

3.如权利要求1所述的氮化硅陶瓷材料,其特征在于,所述氮化物晶须和所述碳化物晶须的质量比为1:3。

4.如权利要求1所述的氮化硅陶瓷材料,其特征在于,所述稀土氧化物选自氧化钇、氧化镧、氧化镨和氧化钪的混合物。

5.一种氮化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供以下原料:氮化硅粉体80wt%~90wt%、碳单质1wt%~6wt%、三氧化二硼粉体1wt%~10wt%、氮化物晶须及碳化物晶须两者总量1wt%~10wt%、稀土氧化物1wt%~10wt%及粘结剂1wt%~6wt%;其中,所述氮化物晶须的长径比为(5~20):1;所述碳化物晶须的长径比为(50~100):1;所述氮化物晶须和所述碳化物晶须的质量比为1:(1~3);

将所述原料混合于溶剂制浆,再干燥造粒,得到造粒粉;

将所述造粒粉制成生坯;

将所述生坯烧结成型,得到氮化硅陶瓷材料。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述将所述造粒粉制成生坯的步骤具体包括如下步骤:

采用双向模压成型对所述造粒粉进行干压,得到密度为1.5g/cm3~1.8g/cm3的生坯;

其中,双向模压成型的压力为120MPa~180MPa。

7.如权利要求5~6任一项所述的制备方法,其特征在于,所述将所述生坯烧结成型的步骤具体包括如下步骤:

将所述生坯于400℃~600℃下脱脂,再于800℃~900℃下充保护气体加压至1MPa~2MPa;然后在压力5MPa~7MPa下,于1600℃~1900℃烧结2h~8h;

其中,在将所述生坯烧结成型的步骤中的温控程序如下:

以每分钟3℃/min~5℃/min从400℃~600℃升温至800℃~900℃℃时,加压到1MPa~2MPa;

以每分钟2℃/min~3℃/min从800℃~900℃升温至1600~1900℃,其中,升温至1100℃~1200℃时加压到2MPa~3MPa,升温至1400℃~1500℃时加压到3MPa~5MPa;升温至1600℃~1900℃时加压至5MPa~7MPa。

8.如权利要求1~4任一项所述的氮化硅陶瓷材料在制备防护制品中的应用。

9.一种防弹插板,其特征在于,所述防弹插板的材料为如权利要求1~4任一项所述的氮化硅陶瓷材料。

10.一种装甲防护装备,其特征在于,所述装甲防护装备包括如权利要求9所述的防弹插板。

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