[发明专利]Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备方法和Pd/Ti双层吸气剂薄膜

权利要求书

1.一种Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备方法，其特征在于，应用于制备设备中，所述制备设备包括：镀膜靶体，所述镀膜靶体为三电极的法兰，其中，两个所述电极分别连接Ti金属丝和Pd金属丝，形成Ti连接电极和Pd连接电极，剩余一个所述电极为公共极；与所述镀膜靶体相连接的镀膜系统，所述镀膜系统包括真空管；与所述镀膜系统相连接的泵送系统，所述泵送系统用于使所述气体产生定向流动而抽气，从而形成超高真空腔室；

所述制备设备还包括：分别与所述三电极的法兰和所述镀膜系统相连接的差分抽旋转平台，在所述镀膜系统向被镀表面镀膜过程中，经由所述差分抽旋转平台带动所述Ti连接电极和所述Pd连接电极旋转，从而向所述被镀表面镀所述Pd/Ti双层吸气剂薄膜，其中，

所述方法包括：

对所述镀膜系统进行烘烤除气，使得所述镀膜系统的本底压强3x10^-8Pa；

在烘烤所述真空管和所述超高真空腔室过程中，以30A分别对所述Ti金属丝和Pd金属丝进行持续至少八小时的加热除气处理；

在对所述镀膜系统的烘烤除气完成之后，对所述镀膜系统进行冷却处理；

在对所述镀膜系统进行冷却处理之后，以30A分别对所述Ti金属丝和Pd金属丝进行持续1小时的除气处理；

在获取最低本底压强时进行蒸发镀膜，当所述制备设备内部的总压力达到所述最低本底压强时，经由所述差分抽旋转平台带动所述Ti连接电极旋转至所述真空管的左侧，采用45A的第一沉积电流，在200摄氏度～300摄氏度之间的第一沉积温度，在60分钟～90分钟之内的第一沉积时间，所述Ti金属丝在所述真空管的左侧升华，以产生2.8x10^-6Pa至1.2x10^-6Pa的压力，从而向被镀表面沉积Ti元素，以在所述真空管的左侧形成由所述Ti元素组成的底层薄膜；

在完成向被镀表面沉积Ti元素的同时，经由所述差分抽旋转平台带动所述Pd连接电极转至所述真空管的左侧，采用45A的第二沉积电流，在100摄氏度～180摄氏度之间的第二沉积温度，20分钟的第二沉积时间升华所述Pd金属丝，并使所述Pd金属丝在所述真空管的左侧升华，以产生3.9x10^-7Pa至6.2x10^-7Pa的压力，从而向所述底层薄膜沉积Pd元素，以在所述底层薄膜的表面形成由所述Pd元素组成的表层薄膜；从而向所述底层薄膜沉积Pd元素，以在所述底层薄膜的表面形成由所述Pd元素组成的表层薄膜；

在完成向所述真空管的左侧形成所述表层薄膜的同时，经由所述差分抽旋转平台带动所述Ti连接电极转至所述真空管的右侧，并使所述Ti金属丝在所述真空管的右侧升华，以产生5.8x10^-7至9.1x10^-6Pa的压力，从而向被镀表面沉积Ti元素，以在所述真空管的右侧形成由所述Ti元素组成的底层薄膜；

在完成向被镀表面沉积所述Ti元素的同时，经由所述差分抽旋转平台带动所述Pd连接电极转至所述真空管的右侧，并使所述Pd金属丝在所述真空管的右侧升华，以产生2.5x10^-7Pa至3.7x10^-7Pa的压力，从而向所述底层薄膜沉积Pd元素，以在所述底层薄膜的表面形成由所述Pd元素组成的表层薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述最低本底压强为2.8x10^-8Pa。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述对所述镀膜系统进行烘烤除气之前，还包括：

采用去离子水持续冲洗所述真空管的表面10分钟，采用酒精对所述真空管的表面进行脱水处理；

对所述真空管的表面进行晾干处理；

对所述真空管的内表面进行抛光处理；

采用去离子水持续冲洗所述真空管的内表面10分钟，并采用超声波处理所述真空管的内表面40分钟，保持所述真空管内的温度在35摄氏度～80摄氏度之间。