[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底，在所述半导体衬底之上设置有多个条状的层叠结构以及覆盖于所述层叠结构外围的侧墙结构，在所述层叠结构的远离所述半导体衬底的一侧设置有导电结构；

所述层叠结构包括：

导线层，设于所述半导体衬底之上，所述导线层用于传输数据信号；

隔绝层，设于所述导线层的远离所述半导体衬底的一侧；

隔离层，设于所述隔绝层的远离所述半导体衬底的一侧，所述隔离层是低介电常数材料；

介质层，设于所述隔离层的远离所述半导体衬底的一侧，所述介质层用于隔离所述隔离层与所述导电结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离层的材质是甲基硅倍半氧烷，其介电常数为2.6，所述隔离层的厚度大于等于8nm且小于等于12nm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔绝层的厚度大于等于8nm且小于等于12nm，其材质是氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度大于等于120nm且小于等于160nm，其材质是氮化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述层叠结构还包括：

导线黏附层，设于所述导线层与所述半导体衬底之间，所述导线黏附层的材质是多晶硅，其厚度大于等于60nm且小于等于70nm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电结构包括：

导电层，设于所述层叠结构的远离半导体衬底的一侧，所述导电层连接于电容触点；

电容结构，设于所述导电层的远离半导体衬底的一侧，所述电容结构连接于所述导电层。

7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底之上依次形成导线材料层、隔绝材料层、隔离材料层以及介质材料层；

对所述介质材料层、所述隔离材料层、所述隔绝材料层以及所述导线材料层刻蚀形成多个条状的层叠结构；

在所述层叠结构外围形成侧墙结构；

在所述层叠结构的远离所述半导体衬底的一侧形成导电结构。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述隔离材料层，包括：

将设定比例的甲基硅倍半氧烷与正十四烷混合形成混合液；

将所述混合液通过旋转离心法旋涂于所述隔绝材料层的远离所述半导体衬底的一侧形成薄膜；

在保护性气氛中对所述薄膜进行烘干。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述保护性气氛为氮气。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述导线材料层之前，所述制备方法还包括：

在所述半导体衬底之上形成导线黏附材料层；

对所述介质材料层刻蚀的同时，对所述导线黏附材料层进行刻蚀形成导线黏附层。

11.一种存储装置，其特征在于，包括：权利要求1～6任意一项所述的半导体器件。